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Datasheet下载- 型号： HN4A06J(TE85L,F)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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HN4A06J(TE85L,F)产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HN4A06J(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HN4A06J(TE85L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.HN4A06J(TE85L,F)封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SMV。您可以下载HN4A06J(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HN4A06J(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANSISTOR PNP SMV PLN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | HN4A06J(TE85L,F) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 2mA，6V |
| 供应商器件封装 | SMV |
| 其它名称 | HN4A06J(TE85LF)TR |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-74A，SOT-753 |
| 晶体管类型 | 2 PNP（双）配对，共发射极 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 120V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
