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HN3C51F-GR(TE85L,F)产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANSISTOR NPN SM6 PLN |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | HN3C51F-GR(TE85L,F) |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 1mA,10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 2mA,6V |
供应商器件封装 | SM6 |
其它名称 | HN3C51F-GR(TE85LF)CT |
功率-最大值 | 300mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
晶体管类型 | 2 NPN(双) |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 120V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
频率-跃迁 | 100MHz |