ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 > HN3C10FUTE85LF
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详细数据请看参考数据手册
- 型号： HN3C10FUTE85LF
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HN3C10FUTE85LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HN3C10FUTE85LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.HN3C10FUTE85LF封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor 2 NPN (Dual) 12V 80mA 7GHz 200mW Surface Mount US6。您可以下载HN3C10FUTE85LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HN3C10FUTE85LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN US6 |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HN3C10FUTE85LF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 20mA，10V |
| 供应商器件封装 | US6 |
| 其它名称 | HN3C10FUTE85LFDKR |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1.1dB @ 1GHz |
| 增益 | 11.5dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 2 NPN（双） |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 12V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 80mA |
| 频率-跃迁 | 7GHz |
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