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  • 型号: HN1D02FE,LF
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供HN1D02FE,LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HN1D02FE,LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.HN1D02FE,LF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HN1D02FE,LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HN1D02FE,LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

SWITCHING DIODE 80V CC 6 ES6二极管 - 通用,功率,开关 Switching diode, 80V ES6 0.1A High Speed

产品分类

二极管,整流器 - 阵列分离式半导体

品牌

Toshiba Semiconductor and StorageToshiba

产品手册

http://www.toshiba.com/taec/Catalog/Product.do?productid=1878084&lineid=276&familyid=900140

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,二极管 - 通用,功率,开关,Toshiba HN1D02FE,LF-

数据手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN1D02FE

产品型号

HN1D02FE,LFHN1D02FE,LF

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 100mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

500nA @ 80V

二极管类型

标准

二极管配置

2 对共阴极

产品

Switching Diodes

产品种类

二极管 - 通用,功率,开关

供应商器件封装

ES6

其它名称

HN1D02FE,LF(A
HN1D02FELFTR

包装

带卷 (TR)

反向恢复时间(trr)

1.6ns

商标

Toshiba

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOT-563,SOT-666

封装/箱体

ES-6

峰值反向电压

85 V

工作温度范围

- 55 C to + 150 C

工厂包装数量

4000

开关配置

Quad

恢复时间

1.6 ns

最大二极管电容

0.9 pF (Typ)

最大功率耗散

100 mW

最大反向漏泄电流

0.5 uA

最大工作温度

+ 150 C

最大浪涌电流

2 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

4,000

正向电压下降

0.9 V

正向连续电流

100 mA

热阻

-

电压-DC反向(Vr)(最大值)

80V

电流-平均整流(Io)(每二极管)

100mA

速度

小信号 =< 200mA(Io),任意速度

配置

Quad

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