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Datasheet下载- 型号： HN1C03F-B(TE85L,F)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HN1C03F-B(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HN1C03F-B(TE85L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.HN1C03F-B(TE85L,F)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HN1C03F-B(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HN1C03F-B(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage（东芝半导体与存储）生产的型号为HN1C03F-B(TE85L,F)的晶体管属于双极型晶体管（BJT）阵列。这类器件通常应用于需要多通道信号放大、开关控制或驱动的小功率场景。以下是该型号可能的应用场景： 1. 多路信号切换： 由于是BJT阵列，HN1C03F-B可以用于多路模拟或数字信号的切换，例如音频信号路由、传感器信号选择等。 2. 小功率驱动： 适用于驱动小型负载，如LED指示灯、继电器线圈或小型电机等。其低功耗特性使其适合便携式设备中的驱动应用。 3. 放大电路： 在音频设备、通信系统或其他电子设备中，可用于构建多通道放大器，实现信号增益或缓冲功能。 4. 逻辑电平转换： 可用于不同电压逻辑电平之间的转换，例如将低电压信号（如3.3V）转换为高电压信号（如5V或更高），以驱动外部设备。 5. 消费电子领域： 常见于家用电器、遥控器、玩具和小型电子设备中，提供基本的信号处理和控制功能。 6. 工业控制： 在工业自动化领域，可作为简单开关或驱动元件，用于控制传感器、执行器或其他外围设备。 7. 汽车电子： 可能用于汽车内部的小型控制模块，如车内照明、仪表盘显示或传感器信号处理。 总体而言，HN1C03F-B(TE85L,F)适合需要多通道、低功耗、小体积解决方案的应用场合，尤其在消费电子、工业控制和汽车电子领域有广泛用途。具体应用场景还需结合其电气参数和实际设计需求进行选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRAN DUAL NPN 20V 0.3A SM6两极晶体管 - BJT Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, SM6 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and StorageToshiba |
| 产品手册 | http://www.toshiba.com/taec/Catalog/Product.do?productid=1371110&lineid=48&subfamilyid=1935055&familyid=1912643 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Toshiba HN1C03F-B(TE85L,F)- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN1C03F |
| 产品型号 | HN1C03F-B(TE85L,F)HN1C03F-B(TE85L,F) |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 100mV @ 3mA，30mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 350 @ 4mA、 2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SM6 |
| 其它名称 | HN1C03F-B(TE85LF)DKR |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 25 V |
| 商标 | Toshiba |
| 增益带宽产品fT | 30 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 封装/箱体 | SM-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 NPN（双） |
| 最大功率耗散 | 300 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 300 mA |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 20V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 300mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 直流电流增益hFE最大值 | 1200 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 20 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 50 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 42 mV |
| 频率-跃迁 | 30MHz |
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