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  • 型号: HN1C01FE-Y(T5L,F,T
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供HN1C01FE-Y(T5L,F,T由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HN1C01FE-Y(T5L,F,T价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.HN1C01FE-Y(T5L,F,T封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HN1C01FE-Y(T5L,F,T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HN1C01FE-Y(T5L,F,T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRAN DUAL NPN 50V 0.15A ES6

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

数据手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN1C01FE

产品图片

产品型号

HN1C01FE-Y(T5L,F,T

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

250mV @ 10mA,100mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

120 @ 2mA,6V

供应商器件封装

ES6

其它名称

HN1C01FE-Y(T5LFTTR

功率-最大值

100mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SOT-563,SOT-666

晶体管类型

2 NPN(双)

标准包装

4,000

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

150mA

电流-集电极截止(最大值)

100nA(ICBO)

频率-跃迁

80MHz

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