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HN1C01FE-GR(5L,F,T产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRAN DUAL NPN 50V 0.15A ES6 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN1C01FE |
产品图片 | |
产品型号 | HN1C01FE-GR(5L,F,T |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 10mA,100mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 2mA,6V |
供应商器件封装 | ES6 |
其它名称 | HN1C01FE-GR (5L,F,T |
功率-最大值 | 100mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
晶体管类型 | 2 NPN(双) |
标准包装 | 4,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 150mA |
电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
频率-跃迁 | 80MHz |