ICGOO在线商城 > HN1B04FE-GR(5L,F,T
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- 型号： HN1B04FE-GR(5L,F,T
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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HN1B04FE-GR(5L,F,T产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HN1B04FE-GR(5L,F,T由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供HN1B04FE-GR(5L,F,T价格参考以及Toshiba America Electronic Components, Inc.HN1B04FE-GR(5L,F,T封装/规格参数等产品信息。 你可以下载HN1B04FE-GR(5L,F,T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有HN1B04FE-GR(5L,F,T详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRAN PNP/NPN -50V -0.15A ES6 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN1B04FE |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HN1B04FE-GR(5L,F,T |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 10mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 2mA，6V |
| 供应商器件封装 | ES6 |
| 其它名称 | HN1B04FE-GR(5LFTTR |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | NPN，PNP |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 150mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 频率-跃迁 | 80MHz |
