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  • 型号: HN1B01FDW1T1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供HN1B01FDW1T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HN1B01FDW1T1G价格参考。ON SemiconductorHN1B01FDW1T1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HN1B01FDW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HN1B01FDW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS NPN/PNP 50V 200MA SC74两极晶体管 - BJT 200mA 60V Dual Complementary

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor HN1B01FDW1T1G-

数据手册

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产品型号

HN1B01FDW1T1G

PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

250mV @ 10mA,100mA / 300mV @ 10mA,100mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

200 @ 2mA,6V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SC-74

其它名称

HN1B01FDW1T1GOS

功率-最大值

380mW

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

7 V

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-74,SOT-457

封装/箱体

SC-74-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN/PNP

晶体管类型

NPN,PNP

最大功率耗散

380 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.2 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

200mA

电流-集电极截止(最大值)

2µA

直流集电极/BaseGainhfeMin

200

系列

HN1B01FDW1

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

集电极—基极电压VCBO

60 V

集电极—射极饱和电压

- 0.15 V

集电极连续电流

0.2 A

频率-跃迁

-

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