【晶体管 - UGBT，MOSFET - 单_HGTP3N60A4D】封装/厂家_HGTP3N60A4D中文资料_价格

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型号： HGTP3N60A4D
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HGTP3N60A4D由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTP3N60A4D价格参考。Fairchild SemiconductorHGTP3N60A4D封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT 600V 17A 70W Through Hole TO-220AB。您可以下载HGTP3N60A4D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGTP3N60A4D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor（安森美半导体）的HGTP3N60A4D是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于“晶体管 - UGBT，MOSFET - 单”类别。以下是该型号的主要应用场景：

 1. 开关电源（SMPS）
   HGTP3N60A4D具有高耐压（600V）和低导通电阻的特点，适用于开关电源中的功率开关。它可以在高频条件下高效地进行开关操作，广泛用于AC-DC转换器、DC-DC转换器以及适配器设计。

 2. 电机驱动
   该器件适合用于中小功率电机驱动电路中。例如，在家用电器（如风扇、水泵）或工业设备（如小型伺服电机）中，作为功率级驱动元件，控制电机的启停、转速和方向。

 3. 逆变器
   HGTP3N60A4D可用于太阳能逆变器或其他类型的逆变器中，将直流电转换为交流电。其高耐压特性和快速开关能力使其能够适应逆变器的工作需求。

 4. 电子负载
   在测试和测量领域，该MOSFET可以用作电子负载的核心元件，通过调节导通程度来模拟不同的负载条件，用于评估电源和其他电子设备的性能。

 5. 保护电路
   HGTP3N60A4D可以用于过流保护、短路保护等电路中。例如，在电池管理系统（BMS）中，它可以作为开关元件切断异常电流路径，保护系统免受损害。

 6. 汽车电子
   在汽车应用中，这款MOSFET可以用于启动系统、车窗升降控制器、座椅调节器等需要功率控制的场景。它的高可靠性和耐高压特性非常适合汽车环境。

 7. 照明驱动
   HGTP3N60A4D也可用于LED照明驱动电路中，提供高效的功率转换和精确的电流控制，确保LED灯具的稳定运行。

 总结
HGTP3N60A4D凭借其高电压承受能力、低导通损耗和快速开关速度，广泛应用于各类功率转换、电机控制和保护电路中。具体选择时需根据实际电路要求考虑散热设计、栅极驱动能力和工作频率等因素。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
25°C时Td（开/关）值	6ns/73ns
产品目录	分立半导体产品
Current-CollectorPulsed(Icm)	40A
描述	IGBT 600V 17A 70W TO220AB
产品分类	IGBT - 单路
GateCharge	21nC
IGBT类型	-
品牌	Fairchild Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	HGTP3N60A4D
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
SwitchingEnergy	37µJ （开）， 25µJ （关）
TestCondition	390V, 3A, 50 欧姆, 15V
不同 Vge、Ic时的 Vce(on)	2.7V @ 15V，3A
供应商器件封装	TO-220AB
其它名称	HGTP3N60A4D_NL HGTP3N60A4D_NL-ND
功率-最大值	70W
包装	管件
反向恢复时间(trr)	29ns
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-220-3
标准包装	400
电压-集射极击穿（最大值）	600V
电流-集电极(Ic)（最大值）	17A
输入类型	标准

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