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Datasheet下载- 型号： HGTP12N60A4D
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HGTP12N60A4D由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTP12N60A4D价格参考。Fairchild SemiconductorHGTP12N60A4D封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HGTP12N60A4D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGTP12N60A4D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的HGTP12N60A4D是一款增强型n沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - UGBT，MOSFET - 单类别。该型号具有以下关键特性及应用场景： 主要参数： - 耐压值：600V，适合高压应用环境。 - 连续漏极电流：12A，能够处理较高的电流负载。 - 导通电阻：低至0.95Ω（典型值），有助于降低功率损耗。 - 栅极电荷：较小的栅极电荷设计，支持快速开关操作。 - 工作温度范围：-55°C至+175°C，适用于极端温度条件。 应用场景： 1. 开关电源（SMPS） HGTP12N60A4D适用于各种开关电源电路，如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。其高耐压和低导通电阻特性可提高效率并减少热量产生。 2. 电机驱动 该器件可用于驱动中小型电机，例如步进电机、无刷直流电机（BLDC）等。其快速开关能力和高电流承载能力确保了电机运行的稳定性和效率。 3. 逆变器 在光伏逆变器或UPS（不间断电源）系统中，HGTP12N60A4D可用作功率开关元件，实现高效的能量转换。 4. 电子负载控制 用于工业自动化设备中的电子负载控制，如电磁阀、继电器和其他感性负载的开关控制。 5. 电动车与电池管理系统（BMS） 在电动车充电器或电池管理系统中，该MOSFET可用于保护电路、充放电控制以及均衡管理。 6. 照明系统 适用于LED驱动电路或其他高效照明系统的功率调节，提供稳定的电流输出。 总之，HGTP12N60A4D凭借其高性能参数，广泛应用于需要高压、高效率和快速开关的电力电子领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 17ns/96ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 96A |
| 描述 | IGBT 600V 54A 167W TO220AB |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 78nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HGTP12N60A4D |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | 55µJ （开）， 50µJ （关） |
| TestCondition | 390V, 12A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.7V @ 15V，12A |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | HGTP12N60A4D_NL |
| 功率-最大值 | 167W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 30ns |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 400 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 54A |
| 输入类型 | 标准 |
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