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Datasheet下载- 型号： HGTP10N120BN
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HGTP10N120BN由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTP10N120BN价格参考。Fairchild SemiconductorHGTP10N120BN封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT NPT 1200V 35A 298W Through Hole TO-220AB。您可以下载HGTP10N120BN参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGTP10N120BN 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的HGTP10N120BN是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于超低功耗沟道MOSFET（UGBT）系列。其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：该型号适合用于开关电源中的高频开关应用，例如DC-DC转换器、反激式变换器和正激式变换器。其高击穿电压（1200V）和低导通电阻特性使其在高压环境下表现优异。 2. 电机驱动：可用于工业自动化和消费电子领域的电机驱动电路中，特别是在需要高效功率转换和低损耗的应用场景下，如步进电机、无刷直流电机（BLDC）等。 3. 逆变器：适用于太阳能逆变器和其他类型的电力逆变器，能够实现高效的电能转换，支持可再生能源系统的稳定运行。 4. 电池管理系统（BMS）：在电动汽车（EV）、混合动力汽车（HEV）以及便携式电子设备的电池管理系统中，该MOSFET可用于电池保护、充放电控制和电流调节。 5. 固态继电器（SSR）：由于其快速开关特性和高耐压能力，HGTP10N120BN非常适合用作固态继电器的核心元件，提供更可靠、更长寿命的开关解决方案。 6. 家电产品：在家用电器中，如空调、洗衣机、冰箱等，这款MOSFET可以用于功率控制模块，确保设备高效运行并降低能耗。 7. 照明系统：适用于LED驱动器和高压气体放电灯（HID）镇流器，提供稳定的电流输出以保证照明效果。 综上所述，HGTP10N120BN凭借其卓越的电气性能和可靠性，广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的领域。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 23ns/165ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 80A |
| 描述 | IGBT 1200V 35A 298W TO220AB |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 100nC |
| IGBT类型 | NPT |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HGTP10N120BN |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | 320µJ （开）， 800µJ （关） |
| TestCondition | 960V, 10A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.7V @ 15V，10A |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | HGTP10N120BN-ND |
| 功率-最大值 | 298W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 400 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 1200V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 35A |
| 输入类型 | 标准 |
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