ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 > HGTG30N60C3D
Datasheet下载- 型号： HGTG30N60C3D
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
HGTG30N60C3D产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HGTG30N60C3D由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTG30N60C3D价格参考。Fairchild SemiconductorHGTG30N60C3D封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT 600V 63A 208W Through Hole TO-247。您可以下载HGTG30N60C3D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGTG30N60C3D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | - |
| 产品目录 | |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 252A |
| 描述 | IGBT 600V 63A 208W TO247 |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 162nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HGTG30N60C3D |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | 1.05mJ （开）， 2.5mJ （关） |
| TestCondition | - |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.8V @ 15V，30A |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 功率-最大值 | 208W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 60ns |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 63A |
| 输入类型 | 标准 |
