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  • 型号: HGTG20N60B3D
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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HGTG20N60B3D产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供HGTG20N60B3D由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTG20N60B3D价格参考。Fairchild SemiconductorHGTG20N60B3D封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT 600V 40A 165W Through Hole TO-247。您可以下载HGTG20N60B3D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HGTG20N60B3D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor的HGTG20N60B3D是一款MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于超低导通电阻(UGBT)系列,具有高效率和高性能的特点。该型号主要应用于需要高效功率转换和开关操作的场景中,具体应用场景如下:

1. 工业自动化:在工业控制系统中,如可编程逻辑控制器(PLC)、伺服驱动器、逆变器等设备中,HGTG20N60B3D可以用于电源管理和电机控制,提供高效的开关性能,确保系统的稳定性和可靠性。

2. 电力电子设备:在电源适配器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器等电力电子设备中,该MOSFET可以实现高效的DC-DC或AC-DC转换,降低能量损耗,提高整体能效。

3. 电动车辆(EV)与混合动力车辆(HEV):在电动汽车和混合动力汽车的动力系统中,HGTG20N60B3D可用于电池管理系统(BMS)、车载充电器、电机驱动器等关键部件,帮助提升车辆的续航能力和动力表现。

4. 消费电子产品:在一些高端消费电子产品中,如笔记本电脑、平板电脑、智能手机的快速充电器中,HGTG20N60B3D可以用于高频开关电源的设计,实现更快速、更安全的充电体验。

5. 通信基站:在通信基础设施中,如5G基站的电源模块中,该MOSFET可以用于高效的电源管理,确保基站的稳定运行,同时减少能耗。

6. 智能家居设备:在智能家居设备中,如智能灯泡、智能插座等,HGTG20N60B3D可以用于电源管理和控制电路,提供高效且稳定的电力支持。

总之,HGTG20N60B3D凭借其低导通电阻、高开关速度和高耐压特性,广泛适用于各种需要高效功率转换和开关操作的应用领域,特别是在对能效和可靠性要求较高的场合中表现出色。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

-

产品目录

分立半导体产品

Current-CollectorPulsed(Icm)

160A

描述

IGBT 600V 40A 165W TO247

产品分类

IGBT - 单路

GateCharge

80nC

IGBT类型

-

品牌

Fairchild Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

HGTG20N60B3D

PCN封装

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PCN设计/规格

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

SwitchingEnergy

475µJ (开), 1.05mJ (关)

TestCondition

-

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2V @ 15V,20A

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品目录页面

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供应商器件封装

TO-247

其它名称

HGTG20N60B3D-ND
HGTG20N60B3DFS

功率-最大值

165W

包装

管件

反向恢复时间(trr)

55ns

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-247-3

标准包装

30

电压-集射极击穿(最大值)

600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

40A

输入类型

标准

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