图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: HGTG18N120BND
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

HGTG18N120BND产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供HGTG18N120BND由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTG18N120BND价格参考。Fairchild SemiconductorHGTG18N120BND封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT NPT 1200V 54A 390W Through Hole TO-247。您可以下载HGTG18N120BND参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HGTG18N120BND 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

23ns/170ns

产品目录

分立半导体产品

Current-CollectorPulsed(Icm)

160A

描述

IGBT 1200V 54A 390W TO247IGBT 晶体管 54A 1200V N-Ch w/Ant Parallel Hyprfst Dde

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

165nC

IGBT类型

NPT

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor HGTG18N120BND-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

HGTG18N120BND

PCN封装

点击此处下载产品Datasheet

PCN设计/规格

点击此处下载产品Datasheet

SwitchingEnergy

1.9mJ (开), 1.8mJ (关)

TestCondition

960V, 18A, 3 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.7V @ 15V,18A

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品目录页面

点击此处下载产品Datasheet

产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

TO-247

功率-最大值

390W

功率耗散

390 W

包装

管件

单位重量

6.390 g

反向恢复时间(trr)

75ns

商标

Fairchild Semiconductor

在25C的连续集电极电流

54 A

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

150

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极/发射极最大电压

+/- 20 V

栅极—射极漏泄电流

+/- 250 nA

标准包装

30

电压-集射极击穿(最大值)

1200V

电流-集电极(Ic)(最大值)

54A

系列

HGTG18N120

输入类型

标准

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

1200 V

集电极—射极饱和电压

2.45 V

集电极最大连续电流Ic

54 A

零件号别名

HGTG18N120BND_NL

HGTG18N120BND 相关产品

IRG4BC10UDPBF

品牌:Infineon Technologies

价格:

IXBH24N170

品牌:IXYS

价格:

IRG4PC50F-EPBF

品牌:Infineon Technologies

价格:

STGW30N120KD

品牌:STMicroelectronics

价格:

IXGH24N60AU1

品牌:IXYS

价格:

IXGH72N60C3

品牌:IXYS

价格:

IXGA20N120A3

品牌:IXYS

价格:

IXGH16N170A

品牌:IXYS

价格: