【晶体管 - UGBT，MOSFET - 单_HGTG12N60C3D】封装/厂家_HGTG12N60C3D中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： HGTG12N60C3D
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HGTG12N60C3D由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTG12N60C3D价格参考。Fairchild SemiconductorHGTG12N60C3D封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT 600V 24A 104W Through Hole TO-247。您可以下载HGTG12N60C3D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGTG12N60C3D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HGTG12N60C3D 是一款由 ON Semiconductor 生产的高压沟道场效应晶体管（MOSFET），属于 UGBT 系列，主要用于需要高电压和高效能的应用场景。以下是该型号的主要应用场景：

 1. 电源管理
   HGTG12N60C3D 广泛应用于各种电源管理系统中，特别是在高电压、大功率的场合。例如：
   - 开关电源（SMPS）：在开关电源中，MOSFET 作为开关元件，能够快速切换导通和关断状态，从而实现高效的能量转换。HGTG12N60C3D 的低导通电阻和快速开关特性使其非常适合用于高频开关电源。
   - 不间断电源（UPS）：在 UPS 系统中，MOSFET 被用于逆变器部分，将直流电转换为交流电，以确保在市电中断时设备仍能正常工作。

 2. 电机驱动
   在工业自动化和家电领域，HGTG12N60C3D 可用于驱动电动机。它能够承受高电压和大电流，适用于以下场景：
   - 变频器：用于控制电机的速度和转矩，特别适用于三相异步电机的调速系统。
   - 伺服电机驱动：在精密控制系统中，如机器人、数控机床等，HGTG12N60C3D 可以提供稳定的电流输出，确保电机的精确控制。

 3. 太阳能逆变器
   在太阳能发电系统中，MOSFET 是逆变器的关键组件之一。HGTG12N60C3D 具有良好的热性能和耐压能力，能够在逆变器中将光伏板产生的直流电转换为适合电网使用的交流电，同时保持较高的转换效率。

 4. 电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）
   HGTG12N60C3D 在电动汽车和混合动力汽车的电力电子系统中也发挥着重要作用。它可以用于：
   - 车载充电器（OBC）：将外部交流电转换为直流电，为电池充电。
   - DC-DC 转换器：用于调节电池电压，确保不同部件之间的电压匹配。
   - 牵引逆变器：将电池的直流电转换为驱动电机所需的交流电，从而实现车辆的行驶。

 5. 通信基站
   在通信基础设施中，如 5G 基站，HGTG12N60C3D 可用于电源模块，确保基站设备在高负载下的稳定运行，并提高能源利用效率。

总之，HGTG12N60C3D 凭借其出色的电气性能和可靠性，广泛应用于电力电子、工业控制、新能源等领域，尤其是在需要高效能、高可靠性的高压应用中表现尤为突出。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
25°C时Td（开/关）值	-
产品目录	分立半导体产品半导体
Current-CollectorPulsed(Icm)	96A
描述	IGBT 600V 24A 104W TO247IGBT 晶体管 24a 600V IGBT UFS N-Channel
产品分类	IGBT - 单路分离式半导体
GateCharge	48nC
IGBT类型	-
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor HGTG12N60C3D-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	HGTG12N60C3D
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
SwitchingEnergy	380µJ （开）， 900µJ （关）
TestCondition	-
不同 Vge、Ic时的 Vce(on)	2.2V @ 15V，15A
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356
产品种类	IGBT 晶体管
供应商器件封装	TO-247
功率-最大值	104W
功率耗散	104 W
包装	管件
单位重量	6.390 g
反向恢复时间(trr)	42ns
商标	Fairchild Semiconductor
在25C的连续集电极电流	24 A
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-247-3
封装/箱体	TO-247-3
工厂包装数量	150
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 40 C
栅极/发射极最大电压	+/- 20 V
栅极—射极漏泄电流	+/- 100 nA
标准包装	30
电压-集射极击穿（最大值）	600V
电流-集电极(Ic)（最大值）	24A
系列	HGTG12N60
输入类型	标准
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	600 V
集电极—射极饱和电压	1.65 V
集电极最大连续电流Ic	24 A
零件号别名	HGTG12N60C3D_NL

样品试用

万种样品免费试用

去申请