【未分类_HGTG12N60A4D】封装/厂家_HGTG12N60A4D中文资料_价格

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型号： HGTG12N60A4D
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HGTG12N60A4D由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTG12N60A4D价格参考。Fairchild SemiconductorHGTG12N60A4D封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HGTG12N60A4D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGTG12N60A4D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HGTG12N60A4D 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于 UGBT（超结功率 MOSFET）系列。该型号具有高电压、低导通电阻和快速开关特性，适用于多种工业和消费类电子应用场景。以下是其主要应用场景：

 1. 电源转换
   - HGTG12N60A4D 常用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和 AC-DC 转换器中。其高耐压（600V）和低导通电阻（Rds(on) 典型值为 150mΩ）使其非常适合高效能的电源管理系统。
   - 应用实例：笔记本电脑适配器、电视电源、LED 驱动电源等。

 2. 电机驱动
   - 在电机控制领域，该 MOSFET 可用于无刷直流电机（BLDC）驱动器和步进电机控制器中，提供高效的开关性能和稳定的电流输出。
   - 应用实例：家用电器（如洗衣机、空调风扇）、电动工具和小型电动车。

 3. 太阳能逆变器
   - HGTG12N60A4D 的高耐压特性和低损耗设计使其成为太阳能逆变器的理想选择，能够有效提升能量转换效率。
   - 应用实例：家庭光伏系统中的微型逆变器或组串式逆变器。

 4. 电池管理
   - 该 MOSFET 可用于电池保护电路和充放电管理系统中，确保电池在安全范围内运行。
   - 应用实例：电动汽车（EV）、电动自行车（E-Bike）、不间断电源（UPS）等。

 5. 高频开关应用
   - HGTG12N60A4D 的快速开关速度（低栅极电荷 Qg 和反向恢复电荷 Qrr）使其适合高频开关应用，减少开关损耗并提高效率。
   - 应用实例：谐振转换器、PFC（功率因数校正）电路。

 6. 工业自动化
   - 在工业自动化设备中，该器件可用于固态继电器、伺服驱动器和机器人控制系统中，提供可靠的开关功能。
   - 应用实例：工厂生产线中的控制模块、PLC（可编程逻辑控制器）。

 总结
HGTG12N60A4D 凭借其优异的电气特性和可靠性，广泛应用于高电压、高效率的电力电子设备中。其具体应用场景取决于设计需求，包括但不限于电源转换、电机驱动、电池管理和高频开关等领域。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
25°C时Td（开/关）值	17ns/96ns
产品目录	分立半导体产品
Current-CollectorPulsed(Icm)	96A
描述	IGBT 600V 54A 167W TO247
产品分类	IGBT - 单路
GateCharge	78nC
IGBT类型	-
品牌	Fairchild Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	HGTG12N60A4D
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
SwitchingEnergy	55µJ （开）， 50µJ （关）
TestCondition	390V, 12A, 10 欧姆, 15V
不同 Vge、Ic时的 Vce(on)	2.7V @ 15V，12A
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
供应商器件封装	TO-247
其它名称	HGTG12N60A4D_NL HGTG12N60A4D_NL-ND
功率-最大值	167W
包装	管件
反向恢复时间(trr)	30ns
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-247-3
标准包装	150
电压-集射极击穿（最大值）	600V
电流-集电极(Ic)（最大值）	54A
输入类型	标准