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  • 型号: HGTG11N120CND
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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HGTG11N120CND产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供HGTG11N120CND由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTG11N120CND价格参考。Fairchild SemiconductorHGTG11N120CND封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT NPT 1200V 43A 298W Through Hole TO-247。您可以下载HGTG11N120CND参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HGTG11N120CND 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HGTG11N120CND 是由 ON Semiconductor 生产的一款 UGBT(超结沟槽栅)MOSFET,属于单通道 MOSFET。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压特性,适用于多种高效能电力转换和电机驱动应用场景。

 主要应用场景:

1. 电源管理与转换:
   - DC-DC 转换器:在工业自动化、通信设备和消费电子中广泛应用。其高效的开关特性和低导通电阻有助于提高转换效率,减少发热。
   - AC-DC 电源:用于笔记本电脑适配器、服务器电源等场合,提供稳定的电压输出,同时降低能量损耗。

2. 电机驱动:
   - 无刷直流电机(BLDC)驱动:广泛应用于家电(如空调、冰箱)、电动工具和电动汽车的电机控制系统。HGTG11N120CND 的快速开关能力和高耐压特性确保了电机的平稳运行和高效控制。
   - 步进电机驱动:在打印机、3D 打印机和其他精密机械中,该 MOSFET 可以精确控制电机的转速和位置,提升系统的响应速度和精度。

3. 逆变器与变频器:
   - 太阳能逆变器:将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电,接入电网或直接供电给家用电器。HGTG11N120CND 的高耐压和低损耗特性使得逆变器更加高效可靠。
   - 工业变频器:用于控制电动机的速度和扭矩,常见于风机、水泵等设备。其快速的开关速度和低导通电阻有助于减少谐波失真,提高系统的稳定性和能效。

4. 汽车电子:
   - 车载充电器:在电动汽车和混合动力汽车中,用于将外部电源转换为车辆电池所需的直流电。该 MOSFET 的高可靠性确保了充电过程的安全性和稳定性。
   - 电动助力转向系统(EPS):通过精确控制电机的助力,提升驾驶体验。HGTG11N120CND 的高性能保证了系统的响应速度和安全性。

总之,HGTG11N120CND 凭借其卓越的电气性能和可靠性,在各种电力电子应用中发挥着重要作用,特别是在需要高效能、高可靠性和快速响应的场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

23ns/180ns

产品目录

分立半导体产品

Current-CollectorPulsed(Icm)

80A

描述

IGBT 1200V 43A 298W TO247IGBT 晶体管 43A 1200V NCh w/Anti Parallel Hyprfst Dde

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

100nC

IGBT类型

NPT

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor HGTG11N120CND-

数据手册

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产品型号

HGTG11N120CND

PCN设计/规格

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SwitchingEnergy

950µJ (开), 1.3mJ (关)

TestCondition

960V, 11A, 10 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.4V @ 15V,11A

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

TO-247

功率-最大值

298W

功率耗散

298 W

包装

管件

单位重量

6.390 g

反向恢复时间(trr)

70ns

商标

Fairchild Semiconductor

在25C的连续集电极电流

43 A

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

150

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极/发射极最大电压

+/- 20 V

栅极—射极漏泄电流

+/- 250 nA

标准包装

30

电压-集射极击穿(最大值)

1200V

电流-集电极(Ic)(最大值)

43A

系列

HGTG10N120

输入类型

标准

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

1200 V

集电极—射极饱和电压

2.1 V

集电极最大连续电流Ic

43 A

零件号别名

HGTG11N120CND_NL

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