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HGTG11N120CND产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供HGTG11N120CND由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTG11N120CND价格参考。Fairchild SemiconductorHGTG11N120CND封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT NPT 1200V 43A 298W Through Hole TO-247。您可以下载HGTG11N120CND参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HGTG11N120CND 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HGTG11N120CND 是由 ON Semiconductor 生产的一款 UGBT(超结沟槽栅)MOSFET,属于单通道 MOSFET。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压特性,适用于多种高效能电力转换和电机驱动应用场景。 主要应用场景: 1. 电源管理与转换: - DC-DC 转换器:在工业自动化、通信设备和消费电子中广泛应用。其高效的开关特性和低导通电阻有助于提高转换效率,减少发热。 - AC-DC 电源:用于笔记本电脑适配器、服务器电源等场合,提供稳定的电压输出,同时降低能量损耗。 2. 电机驱动: - 无刷直流电机(BLDC)驱动:广泛应用于家电(如空调、冰箱)、电动工具和电动汽车的电机控制系统。HGTG11N120CND 的快速开关能力和高耐压特性确保了电机的平稳运行和高效控制。 - 步进电机驱动:在打印机、3D 打印机和其他精密机械中,该 MOSFET 可以精确控制电机的转速和位置,提升系统的响应速度和精度。 3. 逆变器与变频器: - 太阳能逆变器:将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电,接入电网或直接供电给家用电器。HGTG11N120CND 的高耐压和低损耗特性使得逆变器更加高效可靠。 - 工业变频器:用于控制电动机的速度和扭矩,常见于风机、水泵等设备。其快速的开关速度和低导通电阻有助于减少谐波失真,提高系统的稳定性和能效。 4. 汽车电子: - 车载充电器:在电动汽车和混合动力汽车中,用于将外部电源转换为车辆电池所需的直流电。该 MOSFET 的高可靠性确保了充电过程的安全性和稳定性。 - 电动助力转向系统(EPS):通过精确控制电机的助力,提升驾驶体验。HGTG11N120CND 的高性能保证了系统的响应速度和安全性。 总之,HGTG11N120CND 凭借其卓越的电气性能和可靠性,在各种电力电子应用中发挥着重要作用,特别是在需要高效能、高可靠性和快速响应的场合。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 23ns/180ns |
产品目录 | |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 80A |
描述 | IGBT 1200V 43A 298W TO247IGBT 晶体管 43A 1200V NCh w/Anti Parallel Hyprfst Dde |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 100nC |
IGBT类型 | NPT |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor HGTG11N120CND- |
数据手册 | |
产品型号 | HGTG11N120CND |
PCN设计/规格 | |
SwitchingEnergy | 950µJ (开), 1.3mJ (关) |
TestCondition | 960V, 11A, 10 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.4V @ 15V,11A |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-247 |
功率-最大值 | 298W |
功率耗散 | 298 W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 6.390 g |
反向恢复时间(trr) | 70ns |
商标 | Fairchild Semiconductor |
在25C的连续集电极电流 | 43 A |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 |
工厂包装数量 | 150 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
栅极—射极漏泄电流 | +/- 250 nA |
标准包装 | 30 |
电压-集射极击穿(最大值) | 1200V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 43A |
系列 | HGTG10N120 |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 1200 V |
集电极—射极饱和电压 | 2.1 V |
集电极最大连续电流Ic | 43 A |
零件号别名 | HGTG11N120CND_NL |