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HGTG10N120BND产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供HGTG10N120BND由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTG10N120BND价格参考。Fairchild SemiconductorHGTG10N120BND封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT NPT 1200V 35A 298W Through Hole TO-247。您可以下载HGTG10N120BND参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HGTG10N120BND 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 23ns/165ns |
产品目录 | |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 80A |
描述 | IGBT 1200V 35A 298W TO247IGBT 晶体管 35A 1200V N-Ch |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 100nC |
IGBT类型 | NPT |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor HGTG10N120BND- |
数据手册 | |
产品型号 | HGTG10N120BND |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
SwitchingEnergy | 850µJ (开), 800µJ (关) |
TestCondition | 960V, 10A, 10 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.7V @ 15V,10A |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品目录页面 | |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-247 |
功率-最大值 | 298W |
功率耗散 | 298 W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 6.390 g |
反向恢复时间(trr) | 70ns |
商标 | Fairchild Semiconductor |
在25C的连续集电极电流 | 17 A |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 |
工厂包装数量 | 150 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
栅极—射极漏泄电流 | +/- 250 nA |
标准包装 | 30 |
电压-集射极击穿(最大值) | 1200V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 35A |
系列 | HGTG10N120 |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 1200 V |
集电极—射极饱和电压 | 2.45 V |
集电极最大连续电流Ic | 35 A |
零件号别名 | HGTG10N120BND_NL |