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  • 型号: HGTD7N60C3S9A
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供HGTD7N60C3S9A由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTD7N60C3S9A价格参考。Fairchild SemiconductorHGTD7N60C3S9A封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HGTD7N60C3S9A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HGTD7N60C3S9A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

-

产品目录

分立半导体产品

Current-CollectorPulsed(Icm)

56A

描述

IGBT 600V 14A 60W TO252AA

产品分类

IGBT - 单路

GateCharge

23nC

IGBT类型

-

品牌

Fairchild Semiconductor

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

HGTD7N60C3S9A

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

SwitchingEnergy

165µJ (开), 600µJ (关)

TestCondition

-

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2V @ 15V,7A

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

供应商器件封装

TO-252AA

功率-最大值

60W

包装

带卷 (TR)

反向恢复时间(trr)

-

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

标准包装

2,500

电压-集射极击穿(最大值)

600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

14A

输入类型

标准

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