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  • 型号: HGT1S2N120CN
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供HGT1S2N120CN由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGT1S2N120CN价格参考。Fairchild SemiconductorHGT1S2N120CN封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HGT1S2N120CN参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HGT1S2N120CN 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

25ns/205ns

产品目录

分立半导体产品

Current-CollectorPulsed(Icm)

20A

描述

IGBT 1200V 13A 104W I2PAK

产品分类

IGBT - 单路

GateCharge

30nC

IGBT类型

NPT

品牌

Fairchild Semiconductor

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

HGT1S2N120CN

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

SwitchingEnergy

96µJ (开), 355µJ (关)

TestCondition

960V, 2.6A, 51 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.4V @ 15V,2.6A

供应商器件封装

I2PAK

功率-最大值

104W

包装

管件

反向恢复时间(trr)

-

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

标准包装

50

电压-集射极击穿(最大值)

1200V

电流-集电极(Ic)(最大值)

13A

输入类型

标准

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