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  • 型号: HGT1S20N60C3S9A
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供HGT1S20N60C3S9A由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGT1S20N60C3S9A价格参考。Fairchild SemiconductorHGT1S20N60C3S9A封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HGT1S20N60C3S9A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HGT1S20N60C3S9A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

28ns/151ns

产品目录

分立半导体产品

Current-CollectorPulsed(Icm)

300A

描述

IGBT 600V 45A 164W TO263AB

产品分类

IGBT - 单路

GateCharge

91nC

IGBT类型

-

品牌

Fairchild Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

HGT1S20N60C3S9A

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

SwitchingEnergy

295µJ (开), 500µJ (关)

TestCondition

480V, 20A, 10 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

1.8V @ 15V,20A

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

供应商器件封装

TO-263AB

功率-最大值

164W

包装

带卷 (TR)

反向恢复时间(trr)

-

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

标准包装

800

电压-集射极击穿(最大值)

600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

45A

输入类型

标准

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