【未分类_HGT1S20N60C3S9A】封装/厂家_HGT1S20N60C3S9A中文资料_价格

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型号： HGT1S20N60C3S9A
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HGT1S20N60C3S9A由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGT1S20N60C3S9A价格参考。Fairchild SemiconductorHGT1S20N60C3S9A封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HGT1S20N60C3S9A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGT1S20N60C3S9A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HGT1S20N60C3S9A 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 MOSFET 晶体管，属于 UGBT（Ultrafast Gold Bond Transistor）系列。该型号为 N 通道增强型 MOSFET，主要应用于高压、高频和高效率的场景中。以下是其典型应用场景：

 1. 开关电源 (SMPS)
   - HGT1S20N60C3S9A 的耐压值高达 600V，适用于开关电源中的功率开关器件。
   - 在 AC-DC 或 DC-DC 转换器中，作为主开关管或同步整流管，提供高效能的电力转换。

 2. 电机驱动
   - 用于工业控制中的电机驱动电路，例如步进电机、伺服电机等。
   - 其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功率损耗，提高驱动效率。

 3. 逆变器
   - 在光伏逆变器或 UPS（不间断电源）系统中，该 MOSFET 可用作功率级开关，实现高效的能量转换。
   - 其快速开关性能适合高频逆变应用。

 4. PFC（功率因数校正）电路
   - 在功率因数校正电路中，该器件可作为主开关管，帮助提高系统的功率因数并降低谐波失真。

 5. 电动汽车与混合动力汽车
   - 用于车载充电器、电池管理系统（BMS）以及电机控制器中，支持高压环境下的高效运行。

 6. 照明系统
   - 在 LED 驱动器中，该 MOSFET 可用于调节电流，确保 LED 照明的稳定性和高效性。

 7. 消费电子
   - 应用于家用电器（如空调、冰箱、洗衣机等）中的功率控制模块，提供可靠性和节能效果。

 特性总结：
- 高耐压：600V，适合高压应用场景。
- 低导通电阻：减少功率损耗，提升效率。
- 快速开关速度：支持高频工作，降低开关损耗。
- 高可靠性：适用于工业和汽车领域，满足严苛的工作条件。

总之，HGT1S20N60C3S9A 是一款高性能的 MOSFET，广泛应用于需要高效功率转换和控制的场景中。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
25°C时Td（开/关）值	28ns/151ns
产品目录	分立半导体产品
Current-CollectorPulsed(Icm)	300A
描述	IGBT 600V 45A 164W TO263AB
产品分类	IGBT - 单路
GateCharge	91nC
IGBT类型	-
品牌	Fairchild Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	HGT1S20N60C3S9A
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
SwitchingEnergy	295µJ （开）， 500µJ （关）
TestCondition	480V, 20A, 10 欧姆, 15V
不同 Vge、Ic时的 Vce(on)	1.8V @ 15V，20A
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356
供应商器件封装	TO-263AB
功率-最大值	164W
包装	带卷（TR）
反向恢复时间(trr)	-
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
标准包装	800
电压-集射极击穿（最大值）	600V
电流-集电极(Ic)（最大值）	45A
输入类型	标准