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Datasheet下载- 型号： HGT1S10N120BNST
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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HGT1S10N120BNST产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HGT1S10N120BNST由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGT1S10N120BNST价格参考。Fairchild SemiconductorHGT1S10N120BNST封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT NPT 1200V 35A 298W Surface Mount TO-263AB。您可以下载HGT1S10N120BNST参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGT1S10N120BNST 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 23ns/165ns |
| 产品目录 | |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 80A |
| 描述 | IGBT 1200V 35A 298W TO263ABIGBT 晶体管 N-Channel IGBT NPT Series 1200V |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 100nC |
| IGBT类型 | NPT |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor HGT1S10N120BNST- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | HGT1S10N120BNST |
| SwitchingEnergy | 320µJ （开）， 800µJ （关） |
| TestCondition | 960V, 10A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.7V @ 15V，10A |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-263AB |
| 其它名称 | HGT1S10N120BNSTCT |
| 功率-最大值 | 298W |
| 功率耗散 | 298 W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 1.312 g |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 在25C的连续集电极电流 | 35 A |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | TO-263AB-3 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | +/- 250 nA |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 1200V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 35A |
| 系列 | HGT1S10N120BNS |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.7 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 35 A |
