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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | IC TRANSISTOR ARRAY UHF 16-SOIC两极晶体管 - BJT W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN 2XPNP16NSOIC MIL |
产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
品牌 | Intersil |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Intersil HFA3096BZ- |
数据手册 | |
产品型号 | HFA3096BZ |
PCN组件/产地 | |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 40 @ 10mA,2V / 20 @ 10mA,2V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | 16-SOIC |
功率-最大值 | 150mW |
包装 | - |
发射极-基极电压VEBO | 5.5 V |
商标 | Intersil |
噪声系数(dB,不同f时的典型值) | 3.5dB @ 1GHz |
增益 | - |
增益带宽产品fT | 8000 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
封装 | Tube |
封装/外壳 | 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-16 Narrow |
工厂包装数量 | 48 |
晶体管极性 | NPN/PNP |
晶体管类型 | 3 NPN + 2 PNP |
最大功率耗散 | 150 mW |
最大工作温度 | + 125 C |
最大直流电集电极电流 | 0.065 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 48 |
电压-集射极击穿(最大值) | 12V,15V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 65mA |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 40 at 10 mA at 2 V at NPN, 20 at 10 mA at 2 V at PNP |
系列 | HFA3096 |
配置 | Quint |
集电极—发射极最大电压VCEO | 8 V |
集电极—基极电压VCBO | 12 V |
频率-跃迁 | 8GHz,5.5GHz |