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HEF4073BP,652产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供HEF4073BP,652由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HEF4073BP,652价格参考。NXP SemiconductorsHEF4073BP,652封装/规格:逻辑 - 栅极和逆变器, AND Gate IC 3 Channel 14-DIP。您可以下载HEF4073BP,652参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HEF4073BP,652 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
描述 | IC GATE AND 3CH 3-INP 14-DIP逻辑门 TRPL 3INPUT AND GATE |
产品分类 | |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 逻辑集成电路,逻辑门,NXP Semiconductors HEF4073BP,6524000B |
数据手册 | |
产品型号 | HEF4073BP,652 |
PCN封装 | |
PCN组件/产地 | |
不同V、最大CL时的最大传播延迟 | 40ns @ 15V,50pF |
产品 | AND |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24983 |
产品种类 | 逻辑门 |
传播延迟时间 | 20 ns |
低电平输出电流 | 3.6 mA |
供应商器件封装 | 14-DIP |
其它名称 | 568-3119-5 |
包装 | 管件 |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Tube |
封装/外壳 | 14-DIP(0.300",7.62mm) |
封装/箱体 | SOT-27 |
工作温度 | -40°C ~ 85°C |
工厂包装数量 | 1000 |
最大工作温度 | + 85 C |
最小工作温度 | - 40 C |
栅极数量 | 3 Gate |
标准包装 | 25 |
特性 | - |
电压-电源 | 3 V ~ 15 V |
电流-输出高,低 | 3mA,3mA |
电流-静态(最大值) | 4µA |
电源电压-最大 | 15.5 V |
电源电压-最小 | 3 V |
电路数 | 3 |
输入/输出线数量 | 3 / 1 |
输入数 | 3 |
输入线路数量 | 3 |
输出线路数量 | 1 |
逻辑电平-低 | 1.5 V ~ 4 V |
逻辑电平-高 | 3.5 V ~ 11 V |
逻辑类型 | 与门 |
逻辑系列 | HEF4000 |
零件号别名 | HEF4073BPN |
高电平输出电流 | - 3.6 mA |
INTEGRATED CIRCUITS DATA SHEET For a complete data sheet, please also download: •The IC04 LOCMOS HE4000B Logic Family Specifications HEF, HEC •The IC04 LOCMOS HE4000B Logic Package Outlines/Information HEF, HEC HEF4073B gates Triple 3-input AND gate Product specification January 1995 File under Integrated Circuits, IC04
Philips Semiconductors Product specification HEF4073B Triple 3-input AND gate gates DESCRIPTION The HEF4073B provides the positive triple 3-input AND function. The outputs are fully buffered for highest noise immunity and pattern insensitivity of output impedance. Fig.2 Pinning diagram. HEF4073BP(N): 14-lead DIL; plastic (SOT27-1) HEF4073BD(F): 14-lead DIL; ceramic (cerdip) (SOT73) HEF4073BT(D): 14-lead SO; plastic Fig.1 Functional diagram. (SOT108-1) ( ): Package Designator North America Fig.3 Logic diagram (one gate). FAMILY DATA, I LIMITScategory GATES DD See Family Specifications January 1995 2
Philips Semiconductors Product specification HEF4073B Triple 3-input AND gate gates AC CHARACTERISTICS V =0 V; T =25(cid:176) C; C =50 pF; input transition times£ 20 ns SS amb L V TYPICAL EXTRAPOLATION DD SYMBOL TYP. MAX. V FORMULA Propagation delays I fi O 5 55 110 ns 23 ns + (0,55 ns/pF) C n n L HIGH to LOW 10 t 25 50 ns 14 ns + (0,23 ns/pF) C PHL L 15 20 40 ns 12 ns + (0,16 ns/pF) C L 5 45 90 ns 13 ns + (0,55 ns/pF) C L LOW to HIGH 10 t 20 40 ns 9 ns + (0,23 ns/pF) C PLH L 15 15 30 ns 7 ns + (0,16 ns/pF) C L Output transition times 5 60 120 ns 10 ns + (1,0 ns/pF) C L HIGH to LOW 10 t 30 60 ns 9 ns + (0,42 ns/pF) C THL L 15 20 40 ns 6 ns + (0,28 ns/pF) C L 5 60 120 ns 10 ns + (1,0 ns/pF) C L LOW to HIGH 10 t 30 60 ns 9 ns + (0,42 ns/pF) C TLH L 15 20 40 ns 6 ns + (0,28 ns/pF) C L V DD TYPICAL FORMULA FOR P (m W) V Dynamic power 5 600 f +(cid:229) (f C )· V 2 where i o L DD dissipation per 10 2700 f +(cid:229) (f C )· V 2 f =input freq. (MHz) i o L DD i package (P) 15 8400 f +(cid:229) (f C )· V 2 f =output freq. (MHz) i o L DD o C =load capacitance (pF) L (cid:229) (f C )=sum of outputs o L V =supply voltage (V) DD January 1995 3