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  • 型号: HEF4073BP,652
  • 制造商: NXP Semiconductors
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HEF4073BP,652产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供HEF4073BP,652由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HEF4073BP,652价格参考。NXP SemiconductorsHEF4073BP,652封装/规格:逻辑 - 栅极和逆变器, AND Gate IC 3 Channel 14-DIP。您可以下载HEF4073BP,652参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HEF4073BP,652 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)半导体

描述

IC GATE AND 3CH 3-INP 14-DIP逻辑门 TRPL 3INPUT AND GATE

产品分类

逻辑 - 栅极和逆变器

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

逻辑集成电路,逻辑门,NXP Semiconductors HEF4073BP,6524000B

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产品型号

HEF4073BP,652

PCN封装

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PCN组件/产地

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不同V、最大CL时的最大传播延迟

40ns @ 15V,50pF

产品

AND

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24983

产品种类

逻辑门

传播延迟时间

20 ns

低电平输出电流

3.6 mA

供应商器件封装

14-DIP

其它名称

568-3119-5
933324270652
HEF4073BPN

包装

管件

商标

NXP Semiconductors

安装类型

通孔

安装风格

SMD/SMT

封装

Tube

封装/外壳

14-DIP(0.300",7.62mm)

封装/箱体

SOT-27

工作温度

-40°C ~ 85°C

工厂包装数量

1000

最大工作温度

+ 85 C

最小工作温度

- 40 C

栅极数量

3 Gate

标准包装

25

特性

-

电压-电源

3 V ~ 15 V

电流-输出高,低

3mA,3mA

电流-静态(最大值)

4µA

电源电压-最大

15.5 V

电源电压-最小

3 V

电路数

3

输入/输出线数量

3 / 1

输入数

3

输入线路数量

3

输出线路数量

1

逻辑电平-低

1.5 V ~ 4 V

逻辑电平-高

3.5 V ~ 11 V

逻辑类型

与门

逻辑系列

HEF4000

零件号别名

HEF4073BPN

高电平输出电流

- 3.6 mA

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INTEGRATED CIRCUITS DATA SHEET For a complete data sheet, please also download: •The IC04 LOCMOS HE4000B Logic Family Specifications HEF, HEC •The IC04 LOCMOS HE4000B Logic Package Outlines/Information HEF, HEC HEF4073B gates Triple 3-input AND gate Product specification January 1995 File under Integrated Circuits, IC04

Philips Semiconductors Product specification HEF4073B Triple 3-input AND gate gates DESCRIPTION The HEF4073B provides the positive triple 3-input AND function. The outputs are fully buffered for highest noise immunity and pattern insensitivity of output impedance. Fig.2 Pinning diagram. HEF4073BP(N): 14-lead DIL; plastic (SOT27-1) HEF4073BD(F): 14-lead DIL; ceramic (cerdip) (SOT73) HEF4073BT(D): 14-lead SO; plastic Fig.1 Functional diagram. (SOT108-1) ( ): Package Designator North America Fig.3 Logic diagram (one gate). FAMILY DATA, I LIMITScategory GATES DD See Family Specifications January 1995 2

Philips Semiconductors Product specification HEF4073B Triple 3-input AND gate gates AC CHARACTERISTICS V =0 V; T =25(cid:176) C; C =50 pF; input transition times£ 20 ns SS amb L V TYPICAL EXTRAPOLATION DD SYMBOL TYP. MAX. V FORMULA Propagation delays I fi O 5 55 110 ns 23 ns + (0,55 ns/pF) C n n L HIGH to LOW 10 t 25 50 ns 14 ns + (0,23 ns/pF) C PHL L 15 20 40 ns 12 ns + (0,16 ns/pF) C L 5 45 90 ns 13 ns + (0,55 ns/pF) C L LOW to HIGH 10 t 20 40 ns 9 ns + (0,23 ns/pF) C PLH L 15 15 30 ns 7 ns + (0,16 ns/pF) C L Output transition times 5 60 120 ns 10 ns + (1,0 ns/pF) C L HIGH to LOW 10 t 30 60 ns 9 ns + (0,42 ns/pF) C THL L 15 20 40 ns 6 ns + (0,28 ns/pF) C L 5 60 120 ns 10 ns + (1,0 ns/pF) C L LOW to HIGH 10 t 30 60 ns 9 ns + (0,42 ns/pF) C TLH L 15 20 40 ns 6 ns + (0,28 ns/pF) C L V DD TYPICAL FORMULA FOR P (m W) V Dynamic power 5 600 f +(cid:229) (f C )· V 2 where i o L DD dissipation per 10 2700 f +(cid:229) (f C )· V 2 f =input freq. (MHz) i o L DD i package (P) 15 8400 f +(cid:229) (f C )· V 2 f =output freq. (MHz) i o L DD o C =load capacitance (pF) L (cid:229) (f C )=sum of outputs o L V =supply voltage (V) DD January 1995 3