ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 > HBDM60V600W-7
Datasheet下载- 型号： HBDM60V600W-7
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HBDM60V600W-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HBDM60V600W-7价格参考。Diodes Inc.HBDM60V600W-7封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 65V, 60V 500mA, 600mA 100MHz 200mW Surface Mount SOT-363。您可以下载HBDM60V600W-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HBDM60V600W-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363两极晶体管 - BJT 200mW Half H-Bridge |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated HBDM60V600W-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | HBDM60V600W-7 |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 400mV @ 10mA，100mA / 500mV @ 50mA，500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 100mA，1V / 100 @ 150mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 其它名称 | HBDM60V600WDIDKR |
| 其它图纸 |
|
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | - 5.5 V, 6 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | NPN，PNP |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.5 A at NPN, 0.6 A at PNP |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 65V，60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA，600mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 300 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 50 |
| 系列 | HBDM60V |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 60 V, + 65 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 60 V, + 80 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 0.5 V |
| 集电极连续电流 | - 600 mA, 500 mA |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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