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型号： HAT2173H-EL-E
制造商： RENESAS ELECTRONICS
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HAT2173H-EL-E由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HAT2173H-EL-E价格参考。RENESAS ELECTRONICSHAT2173H-EL-E封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 100V 25A（Ta） 30W（Tc） LFPAK。您可以下载HAT2173H-EL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HAT2173H-EL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Renesas Electronics America生产的HAT2173H-EL-E是一款单通道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），其应用场景广泛，尤其适用于需要高效能、低功耗和高可靠性的电子设备。以下是该型号的一些典型应用场景：

 1. 电源管理
   HAT2173H-EL-E常用于电源管理系统中，如DC-DC转换器、开关电源等。它能够高效地控制电流的通断，减少能量损耗，提高电源转换效率。由于其低导通电阻特性，可以在大电流应用中保持较低的温升，延长设备寿命。

 2. 电池管理系统
   在电池管理系统（BMS）中，该MOSFET可以用于电池充放电保护电路。它能够快速响应过流、短路等异常情况，确保电池的安全运行。此外，它还可以用于电池均衡电路，帮助维持电池组中各单元的电压一致性，延长电池的整体使用寿命。

 3. 电机驱动
   对于小型电机驱动应用，如电动工具、家用电器中的直流电机驱动，HAT2173H-EL-E可以作为功率开关，控制电机的启动、停止和调速。其快速开关特性和低导通电阻有助于减少能耗，提升电机的响应速度和控制精度。

 4. 消费电子产品
   在智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费电子产品中，HAT2173H-EL-E可用于各种负载开关、背光驱动等场景。它的小封装尺寸使其非常适合紧凑型设计，同时其低功耗特性有助于延长设备的续航时间。

 5. 工业自动化
   在工业自动化领域，该MOSFET可以用于传感器接口、继电器驱动、信号隔离等场合。它能够在恶劣环境下保持稳定的性能，适应高温、高湿度等极端工作条件，确保工业系统的可靠运行。

 6. 通信设备
   在通信基站、路由器等通信设备中，HAT2173H-EL-E可用于电源模块、信号处理电路等部分。它能够提供稳定的电流控制，确保通信设备在高负载下的正常运行，同时降低发热和功耗。

总之，HAT2173H-EL-E凭借其优异的电气性能和可靠性，适用于多种高性能要求的电子设备中，特别是在需要高效电源管理和精确电流控制的应用场景下表现尤为突出。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	Renesas Electronics America
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	HAT2173H-EL-E
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	6V @ 20mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	4350pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	61nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	15 毫欧 @ 12.5A，10V
供应商器件封装	LFPAK
功率-最大值	30W
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	SC-100，SOT-669
标准包装	2,500
漏源极电压(Vdss)	100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	25A （Ta）