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Datasheet下载- 型号： H11G1TVM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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H11G1TVM产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供H11G1TVM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 H11G1TVM价格参考。Fairchild SemiconductorH11G1TVM封装/规格：光隔离器 - 晶体管，光电输出， 光隔离器 有基极的达林顿晶体管 输出 4170Vrms 1 通道 6-DIP。您可以下载H11G1TVM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有H11G1TVM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | OPTOISO 7.5KV DARL W/BASE 6DIP晶体管输出光电耦合器 Hi Volt Photodarling |
| 产品分类 | |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 光耦合器/光电耦合器,晶体管输出光电耦合器,Fairchild Semiconductor H11G1TVM- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | H11G1TVM |
| Vce饱和值（最大值） | 1V |
| 上升/下降时间（典型值） | - |
| 产品种类 | 晶体管输出光电耦合器 |
| 供应商器件封装 | 6-DIP |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 864 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | 6-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 封装/箱体 | PDIP-6 |
| 工作温度 | -40°C ~ 100°C |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 打开/关闭时间（典型值） | 5µs， 100µs |
| 最大功率耗散 | 260 mW |
| 最大反向二极管电压 | 6 V |
| 最大工作温度 | + 100 C |
| 最大正向二极管电压 | 1.5 V |
| 最大输入二极管电流 | 60 mA |
| 最大集电极/发射极电压 | 100 V |
| 最大集电极/发射极饱和电压 | 1 V |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 每芯片的通道数量 | 1 Channel |
| 电压-正向(Vf)（典型值） | 1.3V |
| 电压-输出（最大值） | 100V |
| 电压-隔离 | 7500Vpk |
| 电流-DC正向(If) | 60mA |
| 电流-输出/通道 | - |
| 电流传输比（最大值） | - |
| 电流传输比（最小值） | 500% @ 1mA |
| 系列 | H11G1M |
| 绝缘电压 | 7500 Vrms |
| 输入类型 | DC |
| 输出类型 | DC |
| 输出设备 | Phototransistor |
| 通道数 | 1 |
| 配置 | 1 Channel |
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