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  • 型号: GT8G133(TE12L,Q)
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供GT8G133(TE12L,Q)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 GT8G133(TE12L,Q)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.GT8G133(TE12L,Q)封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载GT8G133(TE12L,Q)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有GT8G133(TE12L,Q) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

1.7µs/2µs

产品目录

分立半导体产品

Current-CollectorPulsed(Icm)

150A

描述

IGBT 400V 600MW 8TSSOP

产品分类

IGBT - 单路

GateCharge

-

IGBT类型

-

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

GT8G133(TE12L,Q)

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

SwitchingEnergy

-

TestCondition

-

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.9V @ 4V,150A

供应商器件封装

8-TSSOP

功率-最大值

600mW

包装

带卷 (TR)

反向恢复时间(trr)

-

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

400V

电流-集电极(Ic)(最大值)

-

输入类型

标准

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