图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供GT8G133(TE12L,Q)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 GT8G133(TE12L,Q)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.GT8G133(TE12L,Q)封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载GT8G133(TE12L,Q)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有GT8G133(TE12L,Q) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 1.7µs/2µs |
产品目录 | 分立半导体产品 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 150A |
描述 | IGBT 400V 600MW 8TSSOP |
产品分类 | IGBT - 单路 |
GateCharge | - |
IGBT类型 | - |
品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | GT8G133(TE12L,Q) |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
SwitchingEnergy | - |
TestCondition | - |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.9V @ 4V,150A |
供应商器件封装 | 8-TSSOP |
功率-最大值 | 600mW |
包装 | 带卷 (TR) |
反向恢复时间(trr) | - |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 400V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | - |
输入类型 | 标准 |