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详细数据请看参考数据手册
- 型号： GT60M303(Q)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供GT60M303(Q)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 GT60M303(Q)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.GT60M303(Q)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载GT60M303(Q)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有GT60M303(Q) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 460ns/600ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 120A |
| 描述 | IGBT 900V 60A 170W TO3P LH |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | - |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | GT60M303(Q) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | - |
| TestCondition | - |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.7V @ 15V，60A |
| 供应商器件封装 | TO-3P（LH） |
| 功率-最大值 | 170W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 2.5µs |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3PL |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 900V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 60A |
| 输入类型 | 标准 |
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