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  • 型号: GT50J121(Q)
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供GT50J121(Q)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 GT50J121(Q)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.GT50J121(Q)封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载GT50J121(Q)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有GT50J121(Q) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

90ns/300ns

产品目录

分立半导体产品

Current-CollectorPulsed(Icm)

100A

描述

IGBT 600V 50A 240W TO3P LH

产品分类

IGBT - 单路

GateCharge

-

IGBT类型

-

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

GT50J121(Q)

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

SwitchingEnergy

1.3mJ (开), 1.34mJ (关)

TestCondition

300V, 50A, 13 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.45V @ 15V,50A

供应商器件封装

TO-3P(LH)

功率-最大值

240W

包装

管件

反向恢复时间(trr)

-

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-3PL

标准包装

100

电压-集射极击穿(最大值)

600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

50A

输入类型

标准

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