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数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供GT30J121(Q)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 GT30J121(Q)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.GT30J121(Q)封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载GT30J121(Q)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有GT30J121(Q) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 90ns/300ns |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 60A |
描述 | IGBT 600V 30A 170W TO3PNIGBT 晶体管 600V/30A DIS |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | - |
IGBT类型 | - |
品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Toshiba GT30J121(Q)- |
数据手册 | |
产品型号 | GT30J121(Q) |
SwitchingEnergy | 1mJ (开), 800µJ (关) |
TestCondition | 300V, 30A, 24 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.45V @ 15V,30A |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-3P(N) |
功率-最大值 | 170W |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | - |
商标 | Toshiba |
在25C的连续集电极电流 | 30 A |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
封装/箱体 | TO-3P |
工厂包装数量 | 50 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
标准包装 | 50 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 30A |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
集电极最大连续电流Ic | 30 A |