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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MODULE 3 PHASE FULL BR MOSFETMOSFET 3 Phase Full Bridge |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | 6 N-沟道(3 相桥) |
Id-ContinuousDrainCurrent | 50 A |
Id-连续漏极电流 | 50 A |
品牌 | IXYS |
产品手册 | |
产品图片 | |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS GMM3x60-015X2-SMD- |
数据手册 | |
产品型号 | GMM3x60-015X2-SMD |
Qg-GateCharge | 97 nC |
Qg-栅极电荷 | 97 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 19 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 24 mOhms |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 50 ns |
下降时间 | 25 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5800pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 97nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 24 毫欧 @ 38A, 10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | ISOPLUS-DIL™ |
典型关闭延迟时间 | 100 ns |
功率-最大值 | - |
包装 | 托盘 |
商标 | IXYS |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装/外壳 | ISOPLUS-DIL™ |
封装/箱体 | GMM 3x60-015X2-SMD-24 |
工厂包装数量 | 28 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 150V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 50A |
系列 | GMM3x60-015X2 |
配置 | Three Phase - Full Bridge |