Datasheet下载- 型号： GMM3x60-015X2-SMD
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供GMM3x60-015X2-SMD由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 GMM3x60-015X2-SMD价格参考。IXYSGMM3x60-015X2-SMD封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载GMM3x60-015X2-SMD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有GMM3x60-015X2-SMD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MODULE 3 PHASE FULL BR MOSFETMOSFET 3 Phase Full Bridge |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 6 N-沟道（3 相桥） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 50 A |
| Id-连续漏极电流 | 50 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS GMM3x60-015X2-SMD- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | GMM3x60-015X2-SMD |
| Qg-GateCharge | 97 nC |
| Qg-栅极电荷 | 97 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 19 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 24 mOhms |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 50 ns |
| 下降时间 | 25 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5800pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 97nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 24 毫欧 @ 38A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | ISOPLUS-DIL™ |
| 典型关闭延迟时间 | 100 ns |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | 托盘 |
| 商标 | IXYS |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | ISOPLUS-DIL™ |
| 封装/箱体 | GMM 3x60-015X2-SMD-24 |
| 工厂包装数量 | 28 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50A |
| 系列 | GMM3x60-015X2 |
| 配置 | Three Phase - Full Bridge |
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