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Datasheet下载- 型号： GBU4G
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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GBU4G产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供GBU4G由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 GBU4G价格参考￥4.83-￥5.75。Fairchild SemiconductorGBU4G封装/规格：二极管 - 桥式整流器， Bridge Rectifier Single Phase Standard 400V Through Hole GBU。您可以下载GBU4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有GBU4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | RECT BRIDGE GPP 4A 400V GBU桥式整流器 4A Bridge Rectifier |
| 产品分类 | 桥式整流器分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,桥式整流器,Fairchild Semiconductor GBU4G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | GBU4G |
| PCN封装 | |
| 二极管类型 | 单相 |
| 产品 | Single Phase Bridge |
| 产品种类 | 桥式整流器 |
| 供应商器件封装 | GBU |
| 其它名称 | GBU4G-ND |
| 功率耗散 | 8 W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 5.400 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 宽度 | 3.56 mm |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 4-SIP，GBU |
| 封装/箱体 | GBU-4 |
| 峰值反向电压 | 400 V |
| 工厂包装数量 | 20 |
| 最大RMS反向电压 | 280 V |
| 最大反向漏泄电流 | 5 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大浪涌电流 | 150 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 20 |
| 正向电压下降 | 1 V |
| 正向连续电流 | 4 A |
| 电压-峰值反向（最大值） | 400V |
| 电流-DC正向(If) | 4A |
| 系列 | GBU4G |
| 长度 | 22.3 mm |
| 高度 | 18.8 mm |
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PDF Datasheet 数据手册内容提取
GBU4A thru GBU4G Single Phase Glass Passivated V = 50 V - 400 V RRM Silicon Bridge Rectifier I = 4 A O Features • Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0 • High case dielectric strength of 1500 V RMS • Glass passivated chip junction • Ideal for printed circuit boards GBU Package • High surge overload rating • High temperature soldering guaranteed: 260⁰C/ 10 seconds, 0.375 (9.5mm) lead length • Not ESD Sensitive Mechanical Data Case: Molded plastic body over passivated junctions Terminals: Plated leads, solderable per MIL-STD-750 Method 2026. Mounting position: Any Maximum ratings at Tc= 25 °C, unless otherwise specified Parameter Symbol Conditions GBU4A GBU4B GBU4D GBU4G Unit Repetitive peak reverse voltage V 50 100 200 400 V RRM RMS reverse voltage V 35 70 140 280 V RMS DC blocking voltage V 50 100 200 400 V DC Operating temperature T -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 °C j Storage temperature T -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 °C stg Electrical characteristics at Tc = 25 °C, unless otherwise specified Single phase, half sine wave, 60 Hz, resistive or inductive load For capacitive load derate current by 20% Parameter Symbol Conditions GBU4A GBU4B GBU4D GBU4G Unit Maximum average forward rectified I T = 100 °C 4.0 4.0 4.0 4.0 A current 1,2 O c Peak forward surge current I t = 8.3 ms, half sine 150 150 150 150 A FSM p Maximum instantaneous forward V I = 4 A 1.1 1.1 1.1 1.1 V voltage drop per leg F F Maximum DC reverse current at I Ta = 25 °C 5 5 5 5 μA rated DC blocking voltage per leg R T = 125 °C 500 500 500 500 a Rating for fusing I2t t < 8.3 ms 93 93 93 93 A2sec Typical junction capacitance per C 100 100 100 100 pF leg 3 j R 22 22 22 22 Typical thermal resistance per leg 1,2 ΘJA R 4.2 4.2 4.2 4.2 °C/W ΘJL 1 - Device mounted on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm Al plate heatsink 2 - Recommended mounted position is to bolt down device on a heatsink with silicon thermal compond for maximum heat transfer using #6 screw. 3 - Measured at 1.0 MHz and applied reverse bias of 4.0 V 1 Apr 2016 Latest version of this datasheet at: www.genesicsemi.com/silicon-products/bridge-rectifiers/
GBU4A thru GBU4G 2 Apr 2016 Latest version of this datasheet at: www.genesicsemi.com/silicon-products/bridge-rectifiers/
GBU4A thru GBU4G Package dimensions and terminal configuration Product is marked with part number and terminal configuration. Dimensions in inches and (millimeters) 3 Apr 2016 Latest version of this datasheet at: www.genesicsemi.com/silicon-products/bridge-rectifiers/
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