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详细数据请看参考数据手册
- 型号： GB01SLT12-220
- 制造商： GeneSiC Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供GB01SLT12-220由GeneSiC Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 GB01SLT12-220价格参考。GeneSiC SemiconductorGB01SLT12-220封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载GB01SLT12-220参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有GB01SLT12-220 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | 肖特基二极管与整流器 1200V 1A SiC Schottky Rectifier |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,GeneSiC Semiconductor GB01SLT12-220 |
| mouser_ship_limit | 根据美国政府的出口法规规定，Mouser无法将此产品销售到您所在的国家。 |
| 产品 | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 商标 | GeneSiC Semiconductor |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/箱体 | TO-220 |
| 峰值反向电压 | 1200 V |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 175 C |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 恢复时间 | 17 ns |
| 技术 | SiC |
| 最大二极管电容 | 8 pF |
| 最大功率耗散 | 42 W |
| 最大反向漏泄电流 | 4 uA |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最大浪涌电流 | 10 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 正向电压下降 | 1.8 V |
| 正向连续电流 | 1 A |
| 系列 | GB01SLT12 |
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