Datasheet下载- 型号： GAP3SLT33-214
- 制造商： GeneSiC Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供GAP3SLT33-214由GeneSiC Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 GAP3SLT33-214价格参考￥56.31-￥56.31。GeneSiC SemiconductorGAP3SLT33-214封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载GAP3SLT33-214参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有GAP3SLT33-214 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | SIC SCHOTTKY DIODE 3330V .3A肖特基二极管与整流器 3300V - 0.3 A SiC Schottky Rectifier |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | GeneSiC Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,GeneSiC Semiconductor GAP3SLT33-214- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | GAP3SLT33-214 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 2.2V @ 300mA |
| 不同 Vr、F时的电容 | 42pF @ 1V, 1MHz |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 10µA @ 3300V |
| 二极管类型 | 碳化硅肖特基 |
| 产品 | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | DO-214AA |
| 其它名称 | 1242-1172-1 |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 反向恢复时间(trr) | 0ns |
| 商标 | GeneSiC Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DO-214AA，SMB |
| 封装/箱体 | DO-214AA |
| 峰值反向电压 | 3300 V |
| 工作温度-结 | -55°C ~ 175°C |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 175 C |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 恢复时间 | 60 ns |
| 技术 | SiC |
| 最大二极管电容 | 7 pF |
| 最大功率耗散 | 25 W |
| 最大反向漏泄电流 | 100 uA |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最大浪涌电流 | 10 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 4 V |
| 正向连续电流 | 0.3 A |
| 热阻 | 1.42°C/W Jc |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 3300V （3.3kV） |
| 电流-平均整流(Io) | 300mA（DC） |
| 系列 | GAP3SLT33 |
| 设计资源 | |
| 速度 | 无恢复时间 > 500mA（Io） |
| 配置 | Single |
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