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详细数据请看参考数据手册
- 型号： GA50JT12-247
- 制造商： GeneSiC Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供GA50JT12-247由GeneSiC Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 GA50JT12-247价格参考。GeneSiC SemiconductorGA50JT12-247封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载GA50JT12-247参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有GA50JT12-247 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
GeneSiC Semiconductor公司生产的GA50JT12-247是一款碳化硅（SiC）基MOSFET晶体管，属于单通道FET类别。该器件因其出色的电气性能和耐用性，适用于多种高功率、高频和高温应用场景。以下是其主要应用领域： 1. 工业电源： GA50JT12-247可用于开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）以及工业逆变器中。其高开关速度和低导通电阻特性能够显著提高效率并减少热量损耗。 2. 新能源领域： - 太阳能逆变器：在光伏系统中，该MOSFET可实现高效的直流到交流转换，提升能量利用率。 - 电动汽车（EV）充电站：适用于快速充电桩的设计，支持大电流和高电压操作，同时保持较低的开关损耗。 3. 电机驱动： 用于高性能电机控制器中，提供快速响应和精确控制能力，特别适合工业机器人、电动车辆和其他需要高效动力传输的应用。 4. 航空航天与国防： 由于其耐高温、抗辐射能力强，GA50JT12-247在极端环境下的电子设备中表现出色，例如卫星、导弹控制系统或军用通信设备。 5. 电信基础设施： 在基站电源和远程射频单元（RRU）等设备中，这款SiC MOSFET有助于构建更紧凑、更高效的供电解决方案。 总结来说，GA50JT12-247凭借其卓越的性能参数（如1200V额定电压和低至50mΩ的导通电阻），非常适合需要高可靠性、高效率及小型化设计的现代电力电子系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS SJT 1.2KV 50A |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 超级结 |
| FET类型 | 碳化硅，常闭 |
| 品牌 | GeneSiC Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | GA50JT12-247 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 28 毫欧 @ 50A |
| 供应商器件封装 | TO-247AB |
| 其它名称 | 1242-1191 |
| 功率-最大值 | 5W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 1200V（1.2kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50A （Tc） |
| 设计资源 |
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