Datasheet下载- 型号： GA06JT12-247
- 制造商： GeneSiC Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供GA06JT12-247由GeneSiC Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 GA06JT12-247价格参考。GeneSiC SemiconductorGA06JT12-247封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载GA06JT12-247参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有GA06JT12-247 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS SJT 1200V 6A TO-247ABMOSFET SiC Super Junc Trans 1200V-Rds 230mO-6A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 超级结 |
| FET类型 | 碳化硅，常闭 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6 A |
| Id-连续漏极电流 | 6 A |
| 品牌 | GeneSiC Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,GeneSiC Semiconductor GA06JT12-247- |
| mouser_ship_limit | 根据美国政府的出口法规规定，Mouser无法将此产品销售到您所在的国家。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | GA06JT12-247 |
| Pd-PowerDissipation | 9 W |
| Pd-功率耗散 | 9 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 220 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 220 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1.2 kV |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 220 毫欧 @ 6A |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247AB |
| 其它名称 | 1242-1165 |
| 功率-最大值 | 146W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | GeneSiC Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 220 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 技术 | SiC |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 漏极连续电流 | 6 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 1200V（1.2kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A（Tc）（90°C） |
| 系列 | GA06JT12 |
| 设计资源 | |
| 配置 | Single |
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