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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS PNP -400V -500MA SOT-223两极晶体管 - BJT PNP HighCt HighV |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated FZT958TA- |
数据手册 | |
产品型号 | FZT958TA |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 240mV @ 300mA,1A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 500mA,10V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SOT-223 |
其它名称 | FZT958TR |
功率-最大值 | 3W |
包装 | 带卷 (TR) |
发射极-基极电压VEBO | - 6 V |
商标 | Diodes Incorporated |
增益带宽产品fT | 85 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
封装/箱体 | SOT-223 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP |
最大功率耗散 | 3 W |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 400V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 500mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 100 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 at 10 mA at 10 V, 100 at 500 mA at 10 V, 10 at 1 A at 10 V |
系列 | FZT958 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | - 400 V |
集电极—基极电压VCBO | - 400 V |
集电极—射极饱和电压 | - 170 mV |
集电极连续电流 | - 0.5 A |
频率-跃迁 | 85MHz |