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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FZT857TA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FZT857TA价格参考¥4.63-¥7.23。Diodes Inc.FZT857TA封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FZT857TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FZT857TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FZT857TA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类别。其主要应用场景包括但不限于以下方面: 1. 开关应用:FZT857TA 可用于各种电子设备中的开关电路。例如,在继电器驱动、LED 驱动或小型电机控制中,该晶体管可以作为开关元件,通过控制基极电流来实现负载的开启和关闭。 2. 信号放大:由于其具备良好的增益特性,FZT857TA 适用于音频前置放大器、传感器信号放大等低功率信号放大的场景。它能够将微弱的输入信号放大到适合后续处理的水平。 3. 电源管理:在一些简单的线性稳压器设计中,该晶体管可以用作调整管,帮助稳定输出电压。此外,在电池充电电路中,它也可以参与电流限制或电压调节功能。 4. 脉宽调制 (PWM) 控制:在需要对直流电机速度或亮度进行调控的应用中,FZT857TA 可以配合 PWM 信号工作,实现精确的速度或亮度控制。 5. 保护电路:此型号的晶体管还可以用于过流保护、短路保护等安全机制中,当检测到异常情况时迅速切断电路以防止损坏其他组件。 6. 无线通信领域的小功率射频应用:尽管 FZT857TA 主要针对低频应用设计,但在某些情况下,它也可能被用作小功率射频放大器的一部分。 总之,FZT857TA 凭借其稳定的性能和适中的规格参数,在消费类电子产品、工业自动化设备以及汽车电子系统等多种领域内都有广泛的应用潜力。具体使用时需根据实际需求选择合适的外围电路配置,并确保工作条件符合器件的数据手册要求。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS NPN 300V 3500MA SOT-223两极晶体管 - BJT NPN High Voltage |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated FZT857TA- |
数据手册 | |
产品型号 | FZT857TA |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 345mV @ 600mA,3.5A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 500mA,10V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SOT-223 |
其它名称 | FZT857 |
功率-最大值 | 3W |
包装 | 剪切带 (CT) |
发射极-基极电压VEBO | 6 V |
商标 | Diodes Incorporated |
增益带宽产品fT | 80 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
封装/箱体 | SOT-223 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 3 W |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 3.5 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 300V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 3.5A |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 100 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 at 10 mA at 5 V, 100 at 500 mA at 10 V, 15 at 2 A at 10 V |
系列 | FZT857 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 300 V |
集电极—基极电压VCBO | 350 V |
集电极连续电流 | 3.5 A |
频率-跃迁 | 80MHz |