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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANSISTOR NPN HI CURRENT SOT223 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
品牌 | Diodes Incorporated |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FZT855TC |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 355mV @ 500mA,5A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 1A,5V |
供应商器件封装 | SOT-223 |
功率-最大值 | 3W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
晶体管类型 | NPN |
标准包装 | 4,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 150V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 5A |
电流-集电极截止(最大值) | - |
频率-跃迁 | 90MHz |