Datasheet下载- 型号： FZT855TA
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FZT855TA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FZT855TA价格参考。Diodes Inc.FZT855TA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FZT855TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FZT855TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FZT855TA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类型。该型号主要应用于低频、小信号放大以及开关电路中，适用于需要高增益和低噪声的场景。以下是其典型应用场景： 1. 音频信号放大：FZT855TA 适合用于音频设备中的前置放大器，能够处理微弱的音频信号并进行放大，同时保持较低的噪声水平。 2. 射频（RF）和无线通信：由于其优良的小信号性能，该晶体管可用于低功率射频电路中，如无线接收机的前端放大。 3. 传感器信号调理：在工业自动化或消费电子领域，FZT855TA 可用于对传感器输出的微弱信号进行放大，以提高后续处理的精度。 4. 开关应用：虽然主要用于模拟信号处理，但 FZT855TA 也可用作简单的开关元件，控制小型负载（如 LED 或继电器）的通断。 5. 测试与测量设备：在精密仪器中，该晶体管可用于构建高精度的放大电路，确保测量结果的准确性。 6. 医疗电子：在心电图（ECG）、脑电图（EEG）等医疗设备中，FZT855TA 可用于放大生物电信号，提供清晰的诊断数据。 总之，FZT855TA 的高增益特性和低噪声表现使其成为各种低频、小信号应用的理想选择，尤其适合对信号质量和稳定性要求较高的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 150V 4000MA SOT-223两极晶体管 - BJT NPN High Current |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated FZT855TA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FZT855TA |
| PCN其它 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 355mV @ 500mA，5A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 1A，5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | FZT855 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 90 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 3 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 5 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 150V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 5A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 100 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 at 10 mA at 5 V, 100 at 1 A at 5 V, 15 at 5 A at 5 V |
| 系列 | FZT855 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 150 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 250 V |
| 集电极连续电流 | 5 A |
| 频率-跃迁 | 90MHz |
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