Datasheet下载- 型号： FZT694BTA
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FZT694BTA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FZT694BTA价格参考。Diodes Inc.FZT694BTA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FZT694BTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FZT694BTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FZT694BTA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类型。其主要应用场景包括： 1. 开关电路：FZT694BTA 可用作电子开关，广泛应用于数字电路中，用于控制其他设备的开闭状态。例如，在继电器驱动、LED 驱动和小型电机控制中，该晶体管能够实现高效的开关功能。 2. 信号放大：作为一款 BJT 晶体管，FZT694BTA 能够在音频设备、传感器信号处理和其他低功率信号放大的场景中使用。它可以将微弱的输入信号放大到适合后续处理或输出的水平。 3. 电源管理：在某些简单的电源管理应用中，如线性稳压器或电流限制电路，该晶体管可以起到关键作用。它可以帮助调节电压或限制电流以保护负载设备。 4. 脉宽调制 (PWM) 控制：在需要 PWM 信号来控制亮度、速度或其他参数的应用中，FZT694BTA 可以作为执行元件，配合微控制器或其他逻辑电路完成任务。 5. 通信设备：在一些基础的射频（RF）或通信模块中，该晶体管可用于信号调制与解调，或者作为缓冲器以增强信号强度。 总体而言，FZT694BTA 的典型应用场景集中在低功耗、中小电流的电子设备中，适用于对成本敏感且性能要求适中的场合。具体应用时需根据实际需求选择合适的偏置条件和外围电路设计，确保晶体管工作在安全区域内。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN HG 120V 1000MA SOT-223达林顿晶体管 NPN High Gain & Crnt |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,达林顿晶体管,Diodes Incorporated FZT694BTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FZT694BTA |
| PCN其它 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 5mA，400mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 150 @ 400mA，2V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 达林顿晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | FZT694B |
| 功率-最大值 | 2W |
| 功率耗散 | 2 W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 1 A |
| 最大集电极截止电流 | 0.1 uA |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 120V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 500 at 100 mA at 2 V, 400 at 200 mA at 2 V, 150 at 400 mA at 2 V |
| 系列 | FZT694B |
| 配置 | Single Dual Collector |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 120 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 120 V |
| 集电极连续电流 | 1 A |
| 频率-跃迁 | 130MHz |
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