ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > FZT653TA
Datasheet下载- 型号： FZT653TA
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FZT653TA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FZT653TA价格参考￥2.55-￥3.50。Diodes Inc.FZT653TA封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 100V 2A 175MHz 2W 表面贴装 SOT-223。您可以下载FZT653TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FZT653TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FZT653TA 是由 Diodes Incorporated 生产的单个双极晶体管（BJT），具有多种应用场景。这种晶体管通常用于信号放大、开关电路、功率调节等场合，特别是在需要高可靠性和稳定性的电路中。 1. 音频放大器 FZT653TA 可以用于音频放大器中的前置放大级或功率输出级。它能够提供稳定的增益和较低的噪声水平，适合于小型音响设备、耳机放大器和其他音频处理电路。其低失真特性使得音质更加清晰。 2. 开关应用 在开关应用中，FZT653TA 可以用作开关元件，控制电流的通断。例如，在继电器驱动、LED 驱动、电机控制等场合，它可以作为开关来控制负载的电源供应。由于其快速的开关速度和低饱和电压，能够在高频工作环境下保持高效。 3. 电源管理 该晶体管还可以用于线性稳压器或开关电源中的调整管。通过调节流过晶体管的电流，可以实现对输出电压的精确控制。FZT653TA 的高电流承载能力和良好的散热性能使其适用于中小功率的电源管理系统。 4. 传感器接口 在传感器接口电路中，FZT653TA 可以用于信号调理和放大。例如，在温度传感器、压力传感器等模拟信号采集系统中，它可以帮助将微弱的传感器信号放大到合适的电平，以便后续处理。 5. 通信设备 在一些通信设备中，如无线发射器和接收器，FZT653TA 可以用于射频信号的放大和调制。它的高频特性使得它能够在射频电路中表现出色，尤其是在低功耗要求的应用中。 6. 工业自动化 在工业自动化领域，FZT653TA 可以用于控制各种执行机构，如电磁阀、步进电机等。它能够承受较大的电流波动，并且具有良好的抗干扰能力，适合在复杂的工业环境中使用。 总之，FZT653TA 凭借其优异的电气特性和可靠性，广泛应用于各种电子设备中，特别是在需要高性能和稳定性的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN HP 100V 2000MA SOT-223两极晶体管 - BJT NPN Medium Power |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated FZT653TA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FZT653TA |
| PCN其它 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 200mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 500mA，2V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | FZT653DKR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 175 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 2 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 2 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 100V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 70 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 70 at 50 mA at 2 V, 100 at 500 mA at 2 V, 55 at 1 A at 2 V, 25 at 2 A at 2 V |
| 系列 | FZT653 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 100 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 120 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.23 V |
| 集电极连续电流 | 2 A |
| 频率-跃迁 | 175MHz |
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