ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > FZT651TA
Datasheet下载- 型号： FZT651TA
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FZT651TA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FZT651TA价格参考。Diodes Inc.FZT651TA封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 60V 3A 175MHz 2W 表面贴装 SOT-223。您可以下载FZT651TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FZT651TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FZT651TA 是由 Diodes Incorporated 生产的单个双极晶体管（BJT），其主要应用场景包括： 1. 信号放大 FZT651TA 常用于低噪声、高增益的信号放大电路中。由于其优异的频率响应特性，适合应用于音频设备、无线通信设备等需要高质量信号放大的场合。例如，在收音机、对讲机等设备中，FZT651TA 可以有效地放大微弱的射频信号，确保信号传输的稳定性和清晰度。 2. 开关应用 该晶体管也适用于各种开关电路。它可以在饱和和截止状态之间快速切换，因此在电源管理、脉宽调制（PWM）控制等领域有广泛应用。例如，在LED驱动器、电机控制器等设备中，FZT651TA 可以作为高效的开关元件，实现精确的电流控制和功率调节。 3. 保护电路 FZT651TA 还可以用于过流保护和短路保护电路。通过监测电流的变化，当电流超过设定阈值时，晶体管可以迅速切断电路，防止损坏其他敏感元件。这种保护功能在电源适配器、充电器等产品中尤为重要。 4. 模拟电路设计 在模拟电路设计中，FZT651TA 可用于构建电压跟随器、差分放大器等电路。其线性工作区域能够提供稳定的电压输出，适用于精密测量仪器、传感器接口等对精度要求较高的场合。 5. 消费电子 FZT651TA 在消费电子产品中的应用也非常广泛，如电视机、音响系统、家用电器等。它能够为这些设备提供可靠的信号处理和功率控制，确保设备的正常运行和高效性能。 总结 FZT651TA 的高性能和可靠性使其成为多种电子应用的理想选择，尤其适合需要高增益、低噪声和快速响应的场景。无论是工业控制、通信设备还是消费电子产品，FZT651TA 都能发挥重要作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN HP 60V 3000MA SOT-223两极晶体管 - BJT NPN Medium Power |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated FZT651TA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FZT651TA |
| PCN其它 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 600mV @ 300mA，3A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 500mA，2V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | FZT651TR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 175 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 2 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 3 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 3A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 70 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 70 at 50 mA at 2 V, 100 at 500 mA at 2 V, 80 at 1 A at 2 V, 40 at 2 A at 2 V |
| 系列 | FZT651 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 60 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 80 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.43 V |
| 集电极连续电流 | 3 A |
| 频率-跃迁 | 175MHz |
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