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Datasheet下载- 型号： FZT1151ATA
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FZT1151ATA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FZT1151ATA价格参考。Diodes Inc.FZT1151ATA封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 40V 3A 145MHz 2.5W 表面贴装 SOT-223。您可以下载FZT1151ATA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FZT1151ATA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FZT1151ATA是由Diodes Incorporated生产的单晶体管 - 双极 (BJT) - 单型号，主要应用于低噪声、高增益放大电路中。该晶体管具有出色的频率响应和低噪声特性，适用于多种电子设备。 应用场景： 1. 音频放大器：FZT1151ATA广泛用于音频设备中的前置放大器和中间级放大电路。其低噪声特性和高增益能够有效提升音频信号的质量，减少背景噪音，确保输出音质清晰、纯净。 2. 射频（RF）电路：在射频通信设备中，FZT1151ATA可用于低噪声放大器（LNA）的设计。它能够在高频段保持稳定的性能，提供较低的噪声系数，从而提高接收信号的灵敏度和质量。 3. 传感器信号调理：在传感器应用中，FZT1151ATA可以作为信号放大元件，将微弱的传感器输出信号放大到可处理的水平。其高增益和低噪声特性有助于提高测量精度，特别适用于对噪声敏感的场合，如医疗设备、工业自动化等。 4. 模拟电路设计：FZT1151ATA适用于各种模拟电路设计，如电压跟随器、电流源、振荡器等。其线性度好，能够精确控制电流和电压，确保电路的稳定性和可靠性。 5. 无线通信模块：在无线通信模块中，FZT1151ATA可以用于功率放大器前端的低噪声放大器，以增强接收信号强度，减少干扰，提高通信质量。 6. 测试与测量仪器：FZT1151ATA也常用于精密测试与测量仪器中，如示波器、频谱分析仪等。它能够提供稳定的放大性能，确保测量结果的准确性和可靠性。 总之，FZT1151ATA凭借其优异的低噪声和高增益特性，在需要高精度和高性能的电子设备中有着广泛的应用前景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP -40V -3000MA SOT-223两极晶体管 - BJT PNP High Gain & Crnt |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated FZT1151ATA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FZT1151ATA |
| PCN其它 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 250mA，3A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 250 @ 500mA，2V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | FZT1151A |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 145 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 2.5 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 3 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 3A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 270 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 270 at 10 mA at 2 V, 250 at 500 mA at 2 V, 180 at 2 A at 2 V, 100 at 3 A at 2 V |
| 系列 | FZT1151A |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 40 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 45 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 200 mV |
| 集电极连续电流 | - 3 A |
| 频率-跃迁 | 145MHz |
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