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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FZT1151ATA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FZT1151ATA价格参考。Diodes Inc.FZT1151ATA封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 40V 3A 145MHz 2.5W 表面贴装 SOT-223。您可以下载FZT1151ATA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FZT1151ATA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS PNP -40V -3000MA SOT-223两极晶体管 - BJT PNP High Gain & Crnt |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated FZT1151ATA- |
数据手册 | |
产品型号 | FZT1151ATA |
PCN其它 | |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 250mA,3A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 250 @ 500mA,2V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SOT-223 |
其它名称 | FZT1151A |
功率-最大值 | 2.5W |
包装 | 剪切带 (CT) |
发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
商标 | Diodes Incorporated |
增益带宽产品fT | 145 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
封装/箱体 | SOT-223 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP |
最大功率耗散 | 2.5 W |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 3 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 40V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 3A |
电流-集电极截止(最大值) | 100nA |
直流电流增益hFE最大值 | 270 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 270 at 10 mA at 2 V, 250 at 500 mA at 2 V, 180 at 2 A at 2 V, 100 at 3 A at 2 V |
系列 | FZT1151A |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | - 40 V |
集电极—基极电压VCBO | - 45 V |
集电极—射极饱和电压 | - 200 mV |
集电极连续电流 | - 3 A |
频率-跃迁 | 145MHz |