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产品简介:
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参数 | 数值 |
品牌 | Infineon Technologies |
产品目录 | 半导体 |
描述 | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 200A |
产品分类 | 分离式半导体 |
产品手册 | |
产品图片 | |
产品系列 | 晶体管,IGBT 模块,Infineon Technologies FS150R12KT3 |
产品型号 | FS150R12KT3 |
产品 | IGBT Silicon Modules |
产品种类 | IGBT 模块 |
功率耗散 | 700 W |
商标 | Infineon Technologies |
在25C的连续集电极电流 | 200 A |
安装风格 | Screw |
封装/箱体 | Econo 3 |
工厂包装数量 | 10 |
最大工作温度 | + 125 C |
最小工作温度 | - 40 C |
栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
栅极—射极漏泄电流 | 400 nA |
配置 | Hex |
集电极—发射极最大电压VCEO | 1200 V |
集电极—射极饱和电压 | 2.15 V |