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  • 型号: FQU4N50TU_WS
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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FQU4N50TU_WS产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQU4N50TU_WS由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供FQU4N50TU_WS价格参考以及Fairchild SemiconductorFQU4N50TU_WS封装/规格参数等产品信息。 你可以下载FQU4N50TU_WS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有FQU4N50TU_WS详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAKMOSFET N-CH/500V 2.6A/2.7OHM

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

2.6 A

Id-连续漏极电流

2.6 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQU4N50TU_WSQFET®

数据手册

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产品型号

FQU4N50TU_WS

Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

2.7 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

2.7 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

500 V

Vds-漏源极击穿电压

500 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

45 ns

下降时间

30 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

460pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

13nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2.7 欧姆 @ 1.3A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

I-Pak

典型关闭延迟时间

20 ns

功率-最大值

2.5W

包装

管件

单位重量

343.080 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

2.7 Ohms

封装

Tube

封装/外壳

TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

封装/箱体

IPAK-3

工厂包装数量

70

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

70

汲极/源极击穿电压

500 V

漏极连续电流

2.6 A

漏源极电压(Vdss)

500V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.6A (Tc)

系列

FQU4N50

通道模式

Enhancement

配置

Single

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