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Datasheet下载- 型号： FQU2N60TU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQU2N60TU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQU2N60TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQU2N60TU封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 600V 2A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） I-PAK。您可以下载FQU2N60TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQU2N60TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQU2N60TU是由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款单通道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。它属于N沟道增强型MOSFET，具有600V的击穿电压和低导通电阻，适用于多种高压、高效率的应用场景。 应用场景： 1. 开关电源（SMPS）： FQU2N60TU常用于开关电源中的功率开关。其600V的击穿电压使其能够承受较高的电压波动，确保在各种输入电压条件下稳定工作。该器件的低导通电阻有助于减少功率损耗，提高转换效率。 2. 逆变器和电机驱动： 在逆变器和电机驱动应用中，FQU2N60TU可以作为主功率开关或辅助开关使用。它能够快速切换状态，提供高效的电流控制，从而实现对电机速度和方向的精确调节。此外，其耐压特性使得它能够在高压环境下可靠运行。 3. 太阳能光伏系统： 该MOSFET可用于太阳能光伏系统的DC-DC转换器和逆变器中。其高耐压和低导通电阻特性有助于提高系统的整体效率，减少能量损失。同时，它的小封装尺寸也便于集成到紧凑的设计中。 4. 汽车电子： FQU2N60TU适用于汽车电子中的各种电源管理模块，如车载充电器、LED驱动器等。其高温工作能力和抗干扰性能使其能够在恶劣的汽车环境中保持稳定运行。 5. 工业自动化： 在工业自动化设备中，如PLC（可编程逻辑控制器）、伺服驱动器等，FQU2N60TU可以用作功率开关或负载控制元件。其快速响应和高效特性有助于提升系统的整体性能和可靠性。 总之，FQU2N60TU凭借其高耐压、低导通电阻和快速切换能力，广泛应用于需要高效、可靠功率控制的各种领域，特别适合高压和大电流的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 2A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQU2N60TU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.7 欧姆 @ 1A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 5,040 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2A （Tc） |
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