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Datasheet下载- 型号： FQU2N60CTU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQU2N60CTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQU2N60CTU价格参考。Fairchild SemiconductorFQU2N60CTU封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 600V 1.9A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） I-PAK。您可以下载FQU2N60CTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQU2N60CTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQU2N60CTU 是由 ON Semiconductor 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。它属于功率 MOSFET 类别，具有 600V 的击穿电压和低导通电阻，适用于多种高电压、大电流的应用场景。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS） FQU2N60CTU 可用于开关电源中的高频开关元件。由于其高耐压特性（600V），它可以承受较高的输入电压波动，适用于 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器等电源管理系统。其快速开关速度有助于提高效率，减少能量损耗。 2. 电机驱动 该 MOSFET 可用于驱动直流电机、步进电机或无刷直流电机。它能够承受电机启动时的瞬态电流冲击，并且在持续工作状态下保持较低的功耗。其低导通电阻有助于减少发热，延长设备寿命。 3. 逆变器 在光伏逆变器和其他类型的逆变器中，FQU2N60CTU 可以作为关键的开关元件，将直流电转换为交流电。其高耐压特性和快速开关能力使其适合用于高压环境下的逆变器设计。 4. 电池管理系统（BMS） 在电动汽车、储能系统等应用中，FQU2N60CTU 可用于电池管理系统的充放电控制电路。它能够有效地控制电池组的充放电过程，防止过充或过放，确保电池的安全和长寿命。 5. 电磁兼容性（EMC）保护 该 MOSFET 还可用于 EMC 保护电路中，作为快速响应的开关元件，抑制电磁干扰信号，保护敏感的电子设备免受外部干扰的影响。 6. 工业自动化 在工业自动化领域，FQU2N60CTU 可用于各种控制电路中，如伺服控制系统、PLC（可编程逻辑控制器）等。它的高可靠性和耐用性使其能够在恶劣的工业环境中稳定工作。 总的来说，FQU2N60CTU 凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于电力电子、工业控制、汽车电子等领域，尤其适合需要高效能、高可靠性的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 1.9A IPAKMOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.9 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.9 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQU2N60CTUQFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQU2N60CTU |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.7 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.7 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 下降时间 | 28 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 235pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.7 欧姆 @ 950mA，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 典型关闭延迟时间 | 24 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 343.080 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 4.7 Ohms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 封装/箱体 | IPAK-3 |
| 工厂包装数量 | 70 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 70 |
| 正向跨导-最小值 | 5 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 600 V |
| 漏极连续电流 | 1.9 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.9A （Tc） |
| 系列 | FQU2N60 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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