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Datasheet下载- 型号： FQU2N60CTU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQU2N60CTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQU2N60CTU价格参考。Fairchild SemiconductorFQU2N60CTU封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 600V 1.9A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） I-PAK。您可以下载FQU2N60CTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQU2N60CTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQU2N60CTU 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），其主要特点是高电压和低导通电阻，适用于需要高效能和可靠性的电路中。具体应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 开关电源：FQU2N60CTU 可用于各种开关电源设计，如 AC-DC 或 DC-DC 转换器。它能够承受高达 600V 的漏源极电压，适合高压应用环境。在这些电源中，MOSFET 作为开关元件，通过快速切换来调节输出电压和电流，提高转换效率并减少能量损耗。 2. 电机驱动：该器件也广泛应用于电机控制领域，例如步进电机、直流无刷电机等。它可以提供足够的电流以驱动电机，并且由于其低导通电阻特性，可以降低发热，延长使用寿命。此外，在电动工具、家电设备中的电机控制系统里也能见到它的身影。 3. 逆变器与太阳能系统：在光伏逆变器和其他类型的电力电子变换装置中，FQU2N60CTU 可以用来实现高效的能量传输。它可以在不同负载条件下保持稳定的性能，确保太阳能电池板产生的直流电能顺利转换为交流电供家庭或工业使用。 4. 过流保护电路：利用其良好的开关特性和较高的击穿电压，FQU2N60CTU 还可用于构建过流保护电路。当检测到异常大的电流时，MOSFET 会迅速切断电路，防止损坏其他敏感组件。 总之，FQU2N60CTU 凭借其优异的电气参数和可靠性，在众多电力电子设备中扮演着重要角色，从消费电子产品到工业自动化系统都有广泛的应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 1.9A IPAKMOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.9 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.9 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQU2N60CTUQFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQU2N60CTU |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.7 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.7 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 下降时间 | 28 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 235pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.7 欧姆 @ 950mA，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 典型关闭延迟时间 | 24 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 343.080 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 4.7 Ohms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 封装/箱体 | IPAK-3 |
| 工厂包装数量 | 70 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 70 |
| 正向跨导-最小值 | 5 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 600 V |
| 漏极连续电流 | 1.9 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.9A （Tc） |
| 系列 | FQU2N60 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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